美国芯片工艺3nm,我们仅14nm,一旦战争,武器会落后么?

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最近,有网友留言给我称,目前美国与台积电是一伙的,芯片工艺达到了3nm,而中芯国际仅14nm,相差很大,如果一旦发生战争,岂不是武器会落后很多?因为一个用3nm芯片,一个用14nm芯片,芯片工艺越先进,性能越强,武器就会厉害啊。

说真的,这样的疑问,很多人可能都会有,因为以往这些晶圆厂,都是宣称先进工艺,能带来更高性能,更低功耗……

但是,这一般只是针对消费级芯片而言。

比如3nm的手机芯片,确实比14nm的手机芯片要强,不信你拿苹果A15和苹果A9比,A15直接碾压A9。

为何要提升芯片的工艺,原因是工艺提升后,同样体积大小的芯片,性能更高,功耗更低,大家注意下这个前提条件,同样体积下。

芯片的性能,其实最终由里面晶体管的多少决定的,一个晶体管代表着一个逻辑开关,逻辑开关越多,性能就更强。

如果不考虑芯片体积,20nm的芯片,只要塞进去比3nm更多的晶体管,那么20nm的芯片,其性能能超过3nm的芯片,但这样的20nm的芯片,其体积会比3nm的芯片大很多。

所以,工艺并不是决定性能的唯一标准,只是在手机中,由于内部空间有限,所以需要体积小,性能强,才不断的升级工艺。

军工级产品,其实并不那么在乎体积,真要实现高性能,拿20nm,甚至40nm工艺,把芯片做大了,一样可以实现高性能的,这一点大家不必担心。

事实上,军工武器需要的芯片,并不追求性能,追求的是稳定,可靠。

军工武器中,使用的需要综合算力的CPU、Soc这样的通用芯片其实很少的,更多的是ASIC、FPGA、ASSP这样的的专业芯片。

这些芯片专注于执行某一项指令,并不需要多么高的性能,只要稳定可靠就行了,而实验表示,工艺越先进的芯片,其稳定性越差,工艺越落后的芯片,稳定性其实更好,不信大家看看月球车,为了稳定,还在使用130nm的芯片。

从全球的情况来看,目前绝大部分的军工武器、战斗机中,都在使用65nm、90nm这样的芯片,比如俄乌冲突中,大量使用的武器、飞机、坦克的芯片,都是90nm、65nm级别的。

所以大家根本就不需要担心因为芯片工艺问题,使得我们在军工武器上也落后,不存在的。

另外还告诉大家一个秘密,我们虽然没有EUV光刻机,但其实我们有另外一个类型的设备——电子束曝光机,它的功能其实跟光刻机很像,通过高能电子束进行曝光,来制造芯片,它的加工精度可以达到10纳米以下,国内有这个设备的,目前国内的先进制程的超导量子芯片,就用这样的机器生产出来的。

只是它的效率很低,所以无法大规模生产芯片,但是少量生产其实没什么问题的,军工武器是不计成本的,且不会大量生产的,所以就算真要生产10nm以下的芯片,也是可以实现的,不用担心。

       原文标题 : 美国芯片工艺3nm,我们仅14nm,一旦战争,武器会落后么?

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