美国芯片禁令，对国产存储芯片，影响很大

众所周知，今年以来，中美科技战争依然在针峰相对，并且中国开始进行反击，美光事件就是最好的例子。

而美国针对中国半导体，也有着明确的目标：

(1)采用16nm或14nm及以下非平面FinFET或GAAFET晶体管结构的逻辑芯片；

(2)半间距小于等于18nm的DRAM存储芯片；

(3) 128层及以上的NAND闪存芯片。

不过，很多网友表示，目前中国存储芯片，其实是不怕美国的禁令的，因为长江存储已经生产出了232层的3DNAND闪存，这个限制128层以上闪存芯片，不是来搞笑的么。

但其实还真不是的，因为这些禁令，长江存储和长鑫存储在开发新产品或扩展新的HVM晶圆厂方面面临挑战。

目前长江存储有232L Xtacking3.0 TLC芯片，比特密度为15.0 Gb/mm2，这也是迄今为止最高的比特密度。

但是，目前232层闪存，产能并不大，如果想抢占更多的市场份额，还需要扩产，而扩产的话，设备就会被卡，所以扩产比较困难，市场份额就难以提升。

其次，长江存储还要继续开发n+1和n+2代(>300L)新产品，这些也需要先进的设备，一旦受限，研发会受影响。

再看长鑫存储，生产DRAM闪存，目前推出的是20nm级(D/R=23.8nm) DDR4和LPDDR4X产品，以及D1x(采用19nm D/R)样品产品。

接下来，长鑫存储会开发DDR5和LPDDR5/5X产品，采用的是或会是17nm工艺，属于n+1 (D1y)和n+2 (D1z)代，但生产17nm工艺的设备是受限的，而一旦先进设备受限，这些工艺都会受到影响。

毕竟不管是先进的NAND闪存，还是DRAM内存，其产品微缩和提升的必要条件，还是需要先进的设备、软件、工具等等，如果美国的制裁持续，而国内设备供应链没有突破的话，这两家公司可能将停止进一步的研发活动。

所以，我们不应该盲目自大，认为我们已经研发出了232层的3D NAND闪存，就代表已经突破美国的封锁，就不用担心所谓的设备被卡脖子了，形势还是很严峻的。

真正不怕卡脖子，还是需要国产供应链一起努力，进行突破才行，那才是真正的没有后顾之忧。