美国芯片禁令,对国产存储芯片,影响很大

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众所周知,今年以来,中美科技战争依然在针峰相对,并且中国开始进行反击,美光事件就是最好的例子。

而美国针对中国半导体,也有着明确的目标:

(1)采用16nm或14nm及以下非平面FinFET或GAAFET晶体管结构的逻辑芯片;

(2)半间距小于等于18nm的DRAM存储芯片;

(3) 128层及以上的NAND闪存芯片。

不过,很多网友表示,目前中国存储芯片,其实是不怕美国的禁令的,因为长江存储已经生产出了232层的3DNAND闪存,这个限制128层以上闪存芯片,不是来搞笑的么。

但其实还真不是的,因为这些禁令,长江存储和长鑫存储在开发新产品或扩展新的HVM晶圆厂方面面临挑战。

目前长江存储有232L Xtacking3.0 TLC芯片,比特密度为15.0 Gb/mm2,这也是迄今为止最高的比特密度。

但是,目前232层闪存,产能并不大,如果想抢占更多的市场份额,还需要扩产,而扩产的话,设备就会被卡,所以扩产比较困难,市场份额就难以提升。

其次,长江存储还要继续开发n+1和n+2代(>300L)新产品,这些也需要先进的设备,一旦受限,研发会受影响。

再看长鑫存储,生产DRAM闪存,目前推出的是20nm级(D/R=23.8nm) DDR4和LPDDR4X产品,以及D1x(采用19nm D/R)样品产品。

接下来,长鑫存储会开发DDR5和LPDDR5/5X产品,采用的是或会是17nm工艺,属于n+1 (D1y)和n+2 (D1z)代,但生产17nm工艺的设备是受限的,而一旦先进设备受限,这些工艺都会受到影响。

毕竟不管是先进的NAND闪存,还是DRAM内存,其产品微缩和提升的必要条件,还是需要先进的设备、软件、工具等等,如果美国的制裁持续,而国内设备供应链没有突破的话,这两家公司可能将停止进一步的研发活动。

所以,我们不应该盲目自大,认为我们已经研发出了232层的3D NAND闪存,就代表已经突破美国的封锁,就不用担心所谓的设备被卡脖子了,形势还是很严峻的。

真正不怕卡脖子,还是需要国产供应链一起努力,进行突破才行,那才是真正的没有后顾之忧。

       原文标题 : 不黑不吹,美国芯片禁令,对国产存储芯片,影响很大

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