国产90nm光刻机,到底能生产多少纳米的芯片?最高55nm

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众所周知,在芯片的制造过程中,光刻机是价值最高的半导体设备,同时光刻工艺是耗时最多,工序最复杂的工艺。

所以在全球半导体设备市场规模中,光刻机也是市场最大的设备之一,约占所有半导体设备的20%左右,是唯二超过20%比例的设备。

目前全球有四大光刻机厂商,分别是荷兰的ASML、日本的尼康、佳能,还有中国的上海微电子。

ASML最先进的光刻机是EUV光刻机,全球仅它一家能够生产。尼康最先进的光刻机是浸润式光刻机,也就是ArFi光刻机,采用的是193nm的深紫外线光源,但经过水这一层介质后,等效于134nm光源。

而佳能无法生产ArFi光刻机,还只能生产ArF Dry光刻机,光源也是193nm的深紫外线,但介质是空气,不是水,所以称之为ArF  Dry(干式光刻机),对的采用水的ArFi的则是浸润式光刻机。

而上海微电子也无法生产ArFi光刻机,还只能生产ArF Dry光刻机,在上海微电子的官网上显示,目前最先进的光刻机是SSA600/20,分辨率是90nm。

很多人表示,分辨率是90nm的光刻机,在经过二次曝光后是45nm,再三次曝光后是28nm什么的,反正就是国产光刻机至少能够到达28nm工艺。

当然,也有人反驳,表示不可能。那么国产的光刻机,最多能够支撑多少纳米的芯片工艺?其实非常简单,看ArF Dry的极限工艺就明白了。

上图就是目前所有制程对应的光刻机,可以看到ArF  Dry可以实现从130nm-55nm工艺的光刻;而浸润式光刻机(ArFi)可以实现45nm-7nm的光刻;5nm及以下就必须用到EUV光刻机了。

所以我们取最高工艺的那一项,也就是说ArF Dry最多也就是实现55nm,是无法实现45nm及以下的,一旦进入45nm,就必须有浸润式光刻机才行,而目前我们还没有掌握浸润式的技术(暗中有没有,这个不清楚,反正公开信息没有)

目前还没有任何一家厂商的ArF Dry光刻机,能够实现45nm及以下工艺的光刻。可见,对于当前国内半导体产业而言,最拖后腿的应该就是光刻机了,你觉得呢?

       原文标题 : 国产90nm光刻机,到底能生产多少纳米的芯片?最高55nm

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