EUV光刻机有多难?我们研发了20多年,才刚摸到门槛

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众所周知,目前在所有的国产半导体设备之中,光刻机应该是最落后的一环了。

从之前机构出具的数据来看,少部分的国产半导体设备已经支撑到了5nm,大部分的设备支撑到28nm左右,只有国产光刻机还处于90nm。

这台国产的光刻机属于干式光刻机,采用193nn光源,以空气为介质。而在干式光刻机之上,还有浸润式光刻机,EUV光刻机这两种更先进的光刻机。

不过,近年来,我们也在很多媒体上,不断的看到国产EUV光刻机有突破,什么长春光电所研发的EUV光刻技术得到了验收,哈工大的光刻机的工作台系统有突破等。很多人都认为,国产EUV光刻机,可能也不远了。

事实上,研发一台EUV光刻机并没这么简单,国内的机构其实已经研究了20多年,目前也仅仅只是摸到门槛而已,离真正的生产还差得很远。

从技术原理来看,光刻机有三大核心,分别是光源系统、物镜系统,工作台。

而国内最早研发EUV光刻机,可以追溯到2002年,当年长春光电所就开始研发EUV光刻机,针对其原理,研发对应的装置。

而除了长春光电所之外,还有中科院、北京理工大学、哈尔滨工业大学、华中科技大学等多个研究所和高校,也参与了EUV光刻机研发工作。

这些研究机构,分别研究不同的系统,有研究光源系统的,有研究物镜系统的,有研究工作台系统的,还有研究控制系统、掩膜板的。

但大家都清楚,目前ASML的EUV光刻机,超过10万个零件,全球超过5000家供应商,而这些零部件供应商遍布全球。

中国想要靠一个国家,就研发出这些元件出来,你想一想就知道中间有多么的难了。

更何况有些系统/技术,以国内的技术基础,目前根本没法搞定,比如EUV光源,物镜系统,目前国内的科技水平,是暂时达不到EUV光刻机的要求的。

国内众多的研究机构,虽然研发投入大,时间长,但是不黑不吹,研发出来的技术,更多的属于是极紫外光刻系统的基础建设工作。

而从基础建设工作,到最终生产出EUV光刻机出来,中间还隔了千里万里。ASML的EUV光刻机中,荷兰腔体占20%,英国真空占12%,美国光源占27%,德国光学系统占14%, 日本的材料占27%。EUV光刻机,其实就是荷兰、英国、美光、德国、日本等厂商,甚至说是整个芯片产业链的意志体现。

之前我看到有位博主说,国产EUV光刻机要突破,首先要避免自嗨。我觉得说的太对了,研发EUV光刻机并没有这么容易,20多年了,我们研发的都还只是一些基础性的工作,可以说只是摸到门槛而已,要突破真没这么容易,大家虽然不需要妄自菲薄,但也不能盲目乐观,需要实事求是的精神。

       原文标题 : EUV光刻机有多难?我们研发了20多年,才刚摸到门槛

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