2023行至过半，存储芯片大跌的寒风依旧凛冽，DRAM加速降价、NAND闪存价格多轮下探、SSD也同步滑落，至于这场大风究竟要刮到何时未曾可知。
不过，近日已有多重信息表明整个存储行业的周期底部越来越明显，存储价格持续下行的市况即将步入尾声。
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触底反弹还是持续低迷
在过去的几个月里，内存和SSD硬盘等多类产品的价格持续下跌，如今已跌至历史低位，32GB内存和2TB大容量存储的价格也来到新的甜蜜点。以下是各类产品近一年降价情况。
然而，进入2023年下半年后，市场走势正在发生变化，多家研究机构及存储原厂纷纷预测这些产品的价格已经触底，并有可能在7月份出现上涨。
美国市场调查机构发布的最新报告称，美光、西部数据等存储芯片供货商认为产品价格已跌到底，开始取消以折扣价提前进行批量交易的模式，甚至开始抬高价格。预计Q3起存储芯片价格下跌幅度将会收窄，部分产品合约价格很可能从Q4起出现上升拐点，不同产品线情况有别，明年有望全面复苏。
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DRAM Q3触底，NAND再等一季
那么DRAM 和NAND的情况如何？分别在什么时候迎来行业回温？
首先看DRAM。据台媒报道，面对行业传统旺季，三星、SK海力士及美光三家存储巨头都计划调涨DRAM的下一季度合约价，目标涨幅7%—8% 。此外，美国调研公司发布的报告显示，尽管目前内存芯片价格相对稳定，但从2023年下半年开始，DDR5内存可能会面临涨价。据称，PC端的DDR5内存价格或将最高上涨5%，而服务器的DDR5内存价格可能最高上涨10%。已有部分厂商在2023年7月份开始上调内存价格，这可能对市场产生较大影响。
其次看NAND。近日NAND闪存芯片市场也传出由于库存水平仍然很高，价格已跌破制造商底线，影响盈利能力的消息，上游NAND原厂计划从7月开始调涨价格。
值得注意的是7月起开始调涨价格 并不意味着市场真正的回温。中国台湾经济日报认为，存储器经过一年的库存调整，加上三星等减产效应逐渐显现，法人预期DRAM有望在第三季度触底，NAND Flash则延后一季在第四季度触底。
据悉，7月三星将DRAM月产量削减至62万片晶圆，同比减少12%以上，创下了公司自2021年第三季度以来DRAM产量的新低。目前，三星的DRAM工厂中，除了采用最先进工艺制程的平泽园区之外，基本所有产线的DRAM产量都在下降。三星内部计划将减产持续至明年，在半导体市场重回供需平衡之前，公司将避免扩产存储芯片。Omdia预计，明年下半年三星的DRAM月产量将保持在60万片，较目前水平进一步减少。与此同时，三星也开始积极与主要客户重新谈判DRAM价格
美光的库存水位也已经得到有效控制。美光季度末库存维持在82亿美元小幅波动，最新目标库存周转天数为4个月（当前约5.6个月），减产幅度从25%提高到30%。下半年上游原厂有望积极地持续减产，强化库存管理和控制供应增长。
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三大先锋率先调涨
不同于去年的普遍衰退，其实自步入今年以来，就已经有零星产品开始涨价，分别是：DDR5和HBM，此外手机用大容量内存的行情报价也将呈上扬态势。看一下这三大板块当下的需求及发展状况。
首先看DDR5。驱动DRAM 内存市场向DDR5升级的动力应该是来自对带宽有强烈需求的专业应用领域，比如云服务器、边缘计算等等，由于系统内存带宽跟不上服务器 CPU 核心数量的增长，因此服务器需要更大的内存带宽。在服务器市场，经过数月的库存消耗，国内服务器主要厂商的库存水平也已经回落至健康水位，近期市场询单也确有增多，部分厂商已开始释出订单。三星电子、SK 海力士和美光三家公司正在推动DDR5内存的普及，以期抵制当前半导体市场下滑的趋势。
7月20日，据业内人士透露，DDR5内存价格出现小幅上涨，这表明该市场即将从最低点进入恢复阶段。
其次，被AI服务器引爆的HBM新型存储需求也在今年开年以来迅速增加。根据 Trendforce 数据，HBM 市场被海力士（占 53%)、三星（占38%）和美光（占9%）三大内存原厂占据。受益于AI的提振，2023年开年后三星、SK海力士两家存储大厂HBM订单就快速增加，价格也水涨船高，据悉近期HBM3规格DRAM价格上涨5倍。目前SK海力士已着手扩建HBM产线，目标将HBM产能翻倍。扩产焦点在于HBM3，SK海力士正在准备投资后段工艺设备。三星也计划投资1万亿韩元（约合7.6亿美元）扩产HBM，目标明年底之前将HBM产能提高一倍，公司已下达主要设备订单。不过调整产能需要时间，很难迅速增加HBM产量，预计未来两年HBM供应仍将紧张。
最后，5G智能手机的强劲需求也为智能手机内存市场的增长创造了上升趋势。目前应用于智能手机存储的RAM和ROM最新产品规范已经发展到了LPDDR5/5x和UFS4.0，无疑将成为各大手机厂商高端旗舰应用首选，但是这两种类型产品目前供应来源和产能相对有限。根据CFM数据显示，由于各厂商之前价格基准不同，预计Q3 LPDDR5/5x普遍涨幅将在10%—20%，涨至0.2-0.22美元/Gb以上的意愿较强，部分厂商在供应和报价方面仍存在不确定性；UFS 4.0方面，由于上半年部分搭载UFS4.0产品机型销量反馈较好，下半年搭载UFS4.0机型预计比之前预期更多，因此行情报价也将呈上扬态势。
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国产存储公司突然走红
今年以来存储市场价格虽然在一直下探，但国产存储厂商却一直表现不凡。
国产A股存储芯片核心公司约有10余家。根据私募排排网数据显示，截至7月13日收盘，有7只存储芯片概念股年内涨幅已翻倍。当日存储板块指数更是大涨6%以上，其中具有优秀表现的公司包括：兆易创新、北京君正、东芯半导体、华海诚科等。
那么存储芯片为何突然走强？又有哪些公司有望在这次走红中受益？
HBM盛行，国产公司涌现
今年以来HBM板块持续爆发，然而这一赛道主要被海外巨头所垄断。2022年HBM市场份额中，SK海力士独占50%，三星约40%，美光仅10%，且SK海力士是目前唯一量产HBM3的公司。不过在HBM盛行的当下，一些优秀的国产公司也正在涌现。比如：HBM供应商华海诚科、雅克科技、太极实业；HBM代理商香农芯创、商洛电子；HBM环氧塑封料供应商华海诚科、飞凯材料、宏昌电子、壹石通、联瑞新材；还有进击HBM先进封装的华海诚科、中富电路；HBM基板供应商中富电路、科翔股份、满坤科技等。
其中华海诚科可以应用于HBM的材料已通过部分客户认证，颗粒状环氧塑封料是HBM需要的核心封测材料，目前国内唯一，全球仅三家；雅克科技是SK海力士的核心供应商，HBM核心标的，也是全球领先的前驱体供应商之一。
利基市场收益
众所周知，美光在中国的存储市场“占地不菲”，倘若美光在中国的业务受限，首先受益的自然是利基存储市场。利基存储主要包含 4Gb DDR4 及以下的 DRAM，2D NAND 及 NOR Flash、EEPROM 等品类，毛利较低，市场规模远小于主流储存产品，但是相应技术壁垒也相对较低，国外巨头正在逐步退出这部分竞争，国内存储芯片设计公司正在逐步崛起。
在利基存储领域，兆易创新是成长最快、实力最强的公司。兆易创新的存储芯片营收中70% 来自NOR闪存、利基型DRAM占比18%，其余小部分为NAND闪存，公司目前产品布局主要面向IPC、机顶盒、扫地机器人等物联网领域利基市场需求。
在利基型 DRAM 车用存储领域，北京君正通过并购获得了后发赶超的优势。据IC Insights数据显示，全球车规DRAM市场份额排名前三的分别为美光（45％）、北京矽成（15％）和三星（11％），若美光业务受限，车载存储龙头北京君正有望优先受益；SLC NAND领域，国内龙头东芯股份有望受益。
下游的存储模组行业，江波龙和佰维存储在全球市场也有较强竞争力，其中江波龙的 eMMC 及 UFS 在全球市场占有率为 6.5%，全球第六，国内第一；佰维存储全球市占率 2.4%，全球第八，国内第二。这两家公司的主要供应商，都包括美光。
先进封测当道
目前，包括三星、美光、SK 海力士在内的国际领先存储器大厂都是以 IDM 的模式运营，不过，长江存储和长鑫存储尚处于起步阶段，并没有完善的内部封装能力，选择将封装外包给 OSAT 厂商，这就给了国内 OSAT 厂商一个商机。
在存储器封装市场，也有以通富微电、深科技（沛顿科技）、太极实业、华天科技、长电科技等为代表的众多国内封测厂商纷纷押下重注。通富微电将存储器封测作为其未来发展的重点领域，并与长江存储、长鑫存储结为战略合作伙伴，已大规模生产存储产品。深科技在年报中指出，随着国产存储厂商相继达成有效产能，半导体制造环节（包括晶圆代工和封测）的景气度持续走高。长电科技也在年报中表示，在半导体存储市场领域，长电科技的封测服务覆盖 DRAM、Flash 等各种存储芯片产品。
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结语
存储芯片作为半导体产业的风向标，呈现出较强的周期性，行业景气度受供需关系影响较大，在景气度高涨时，各厂商扩大产能以增加收入，易导致供应过剩，而在景气度下降时则收缩产能、降价清理库存，最终导致市场供不应求。从历史周期维度看，存储行业周期约为3-4年，而本周期自2020年Q1起始，于2022年Q1价格阶段性见顶，目前已连续6个季度降价。
当下已接近这一轮存储芯片市场周期的底部，国内也已经涌现出一批很受市场关注的企业正努力抓住机遇，凭借成本优势、技术性能等迅速在市场站稳脚跟。待市场景气度回升，国产存储厂商有望分得更大的市场。
原文标题 : 存储芯片的寒风，要停了
