湿法腐蚀在半导体工艺里面占有很重要的一块。不懂化学的芯片工程师是做不好芯片工艺的。正常一些的腐蚀Sio2等氧化层工艺，也有许多腐蚀铜、Al、Cr、Ni等金属层工艺。有时还需要做一些晶圆的返工程序，如何配置王水、碘化物溶液等。相对于真空设备，成形稳定的工艺参数来讲，化学间才是考验芯片工程师的主要场地。
湿法腐蚀首先要了解水，一般容易都需要水去稀释，配置成碱性或者酸性溶液。PH值的把控、比例配比。
水也分很多种，半导体常用去离子水：
DI Water 即 Deionized Water，意为去离子水，也常被称作纯水(Pure water)，随着半导体行业的发展，对纯水水质的要求也在提高，在这高水质要求下所制造出来的水称之为超纯水(Ultra-pure water)。
对于电阻率达18MΩ·cm的超纯水，其水质要求如下表所示
纯水每升含有10-7mol的H3O+离子和OH-离子。
PH值有一个公式计算。
这也是纯水的PH值等于7的由来。
而如果把水温度加热到100℃，水的PH值能到6，因为H3O+和OH-的浓度都会增加。几种常见容易的PH值
酸性溶液都是增加了溶液中的H3O+的浓度。
比如次氯酸、盐酸、硫酸等。
酸碱的强度都可以用PKs表示。
Al的腐蚀
常用1~5%的硝酸，65~75%浓度的磷酸，5-10% CH 3 COOH乙酸
一下有铬的腐蚀、金的腐蚀、、银、钛的腐蚀
Ti钛的腐蚀也可以用BOE来腐蚀，速率差不多200A，5分钟左右干净。
单晶硅的腐蚀
总结一下常用的金属腐蚀
化合物的腐蚀
原文标题 : 湿法化学腐蚀
