对于EUV光刻技术来说，越到后面的推进也越来越具有挑战性，即使对于龙头企业ASML来说也是如此。
近日，光刻巨头ASML的CEO Peter Wennink表示，尽管在推进过程中遇到了一些困难，但他们仍然按计划准备在今年年底推出下一代高数值孔径（High NA）极紫外光（EUV）产品线的首款产品，型号为“Twinscan EXE：5000”。
NA数值孔径是光刻机光学系统的重要指标，直接决定了光刻的实际分辨率，以及最高能达到的工艺节点。
ASML目前最先进的EUV光刻机型号是NEX：3400C和NEX：3400D，其数值孔径（NA）为0．33，对应的分辨率为13nm。这些光刻机可以生产金属间距在38－33nm之间的芯片。
然而，当金属间距缩小到30nm以下时，即对应的工艺节点超越5nm，这样的分辨率已经不够。在这种情况下，芯片制造商需要借助EUV双重曝光和／或曝光成形（pattern shaping）技术来辅助生产，这不仅会增加成本，还可能降低良品率。
为了推进芯片制程到3nm左右，目前的EUV光刻机已经能够满足要求。然而，要继续推进到2nm或更小尺寸的制程，就需要具备更高数值孔径（NA）的High－NA光刻机。
为此，ASML开发了新一代EXE：5000光刻机，它具备0．55的NA，并将光刻分辨率缩小到8nm。EXE：5000光刻机可以视作是一个实验平台，供芯片制造厂学习如何使用高NA EUV技术。而预计在2025年发货的下一代EXE：5200光刻机，则将能够支持大规模量产。＂
这台ASML即将发货的首台NA EUV光刻机将为芯片制造商提供更先进的制程工艺推进以及更高效率和更低曝光成本的可能性。与传统的DUV浸入式光刻系统相比，EUV光刻系统利用极紫外光波长（13．5nm）具有显著降低的特点。
这使得多图案DUV步骤可以通过单次曝光的EUV步骤来代替。这一创新技术使得芯片制造商能够在7nm及以下更先进的制程工艺中继续推进，同时提高效率并降低曝光成本。
此前OFweek维科网·电子工程报道，英特尔有望率先获得业界第一台High－NA EUV光刻机，并计划在2025年成为首家在生产中实际采用High－NA EUV的芯片制造商。High－NA EUV光刻机的目标是将制程推进到1nm及以下。
Intel大概率是高NA EUV光刻机的第一家客户，可能会在18A节点的后期引入。台积电、三星都计划在2025年晚些时候投产2nm工艺，或许也会用上高NA EUV光刻机。
至于这种最先进光刻机的价格，价格也将更加昂贵，据悉其成本超过一架飞机，约3－4亿美元，相当于人民币22－29亿元。
