最近几天，国产光刻机又成为了市场热点，有很多媒体称，中国颠覆式创新下的EUV光刻机有了大突破，而团队是清华大学，具体项目是SSMB-EUV方案。
说的是有鼻子有眼，甚至还有图有真相。但事实上，大家仔细想一想就会清楚，光刻机从0到1实现技术突围，再从1到100实现商业化量产，从来不是一件容易的事，要有这么容易突破，也不至于全球仅ASML一家有EUV光刻机了。
说实话，对于这种类似未经证实的重大突破传言，需要慎之又慎，因为很大概率就是假的。
光刻机（包括EUV光刻机）均由三大核心系统组成，涉及到数万个零件，而EUV光刻机更是超过10万个零件，全球有5000多家供应链，是产业链各环节顶尖公司通力合作的成果。
光刻机的三大核心系统分别是光源方面、光学系统、双工作台。
光源系统，在DUV光刻机，采用准分子激光器，技术掌握在Cymer和Gigaphoton手中，国内科益虹源打破了垄断，有了DUV光源，这个是突破。
而在EUV光刻机中，光源与DUV又不一样，是通过高功率CO2激光器轰击Sn滴而来，高功率激光器为核心组件。ASML的EUV光刻机中，EUV光源是荷兰ASML、德国TRUMPF、德国ZEISS通力合作的结果。
而前几天清华大学的SSMB方案，其实是指这个方案成功后，有可能成为EUV的光源。注意看，这里是指有可能成为EUV光刻机的光源，而不是一定能成，且目前SSMB也没有稳定运行，都没有实现0到1的突破，更不要提1到100了。
再说光学系统方面，这一块有两部分组成，分别是照明系统和物镜系统。照明系统优化成像过程，实现分辨率增强；投影物镜系统将掩模图形聚焦成像，ZEISS为ASML关键光学元件独家供应商，目前全球仅蔡司拥有浸润式光学系统、EUV光学系统能力，除蔡司外，全球没有任何其它的替代厂商。
在ASML的EUV光刻机中，光学系统高约1.5m，重3.5吨，由3.5万个独立部件组成；其中照明系统共1.5万个组成部分，重1.5吨；投影物镜共2万个组成部分，重2万吨。
国内目前在光学系统方面，存在很大的短板，与蔡司的水平还有很大差距，浸润式光学系统暂时还没有搞定，更不要提EUV的光学系统了。
最后说说双工作台，双工作台是指测量平台和曝光平台，这一块考虑的指标是MA（移动平均偏差），它影响光刻分辨率；MSD（移动标准偏差）影响套刻精度，速度、加速度、机台稳定时间等影响产率。
ASML的浸润式光刻机，其CD均为38nm，那么要求MA在1nm以内，MSD在7nm左右，而载物加速度要达到5g。
目前国内华卓精科和清华大学团队在双工作台上，表现非常不错，其工作台MA为1.5nm，MSD为2.6nm，基本达到了ASML的浸润式光刻机的要求。
可见，国产EUV光刻机要突破，必须在光源、光学系统、工作台上都要突破，其中唯一相对有把握一点的是双工作台了，像光源、光学系统把握还不大。
更重要的是，除了这三大核心，还有众多的技术，前面已经提到过，ASML生产的EUV光刻机，包含了十万个零部件，大量的零部件需要全球各领域的顶尖技术来支持。
所以要走的路还很远，我不是要唱衰，而是提醒大家不要盲目乐观，误信了谣言，高精尖技术的研发，从来都是一场漫长的征途，没有捷径可走，尤其那些所谓的颠覆式的创新，一下子就突破了的沸腾消息，很多时候就是假的。
原文标题 : 国产EUV光刻机要突破，三大核心中，仅一项稍有把握
