一直以来由于众所周知的原因，国产芯片在先进工艺研发方面遭遇了不小的困难，直到近期一款国产5G芯片的出现，证明了国产芯片取得了重大的进展，芯片工艺大突破，芯片性能也取得了相当大的提升。
据某知名博主测试结果显示该款国产5G芯片的单核性能已接近2021年高通骁龙888的水平，单核性能只是比骁龙888搭载的X1核心稍弱，要知道骁龙888可是一款采用5纳米工艺生产的芯片，国产5G芯片能达到如此水平已是巨大的进步。
国产芯片一直都在努力寻求突破7纳米工艺，不过由于受到EUV光刻机的限制，而始终难以取得进展，然而如今这款国产5G芯片的推出，却超越了7纳米工艺，证明了国产芯片在先进工艺方面已取得长足进展。
另一方面则是业界曾认为受制于无法获得ARM的V9架构授权，国产芯片的性能提升将难以推进，然而首款国产化的5G芯片却能达到ARM首颗超大核心X1的水平，证明国产芯片在核心架构方面也已取得了长足进展。
不过该博主也指出这款国产5G芯片稍有遗憾的是功耗方面，据测试显示它的功耗比骁龙888的X1核心高出1瓦，为此搭载该芯片的国产5G手机不得不采用了超大散热片，以确保手机的稳定运行，只是这瑕不掩瑜。
国产5G芯片的推出对国产芯片具有重大意义，首先这意味着国产的芯片产业链已取得重大突破，此前美国拉拢荷兰和日本限制对中国出口先进的芯片设备，然而国产5G芯片的性能接近5纳米的骁龙888，也就意味着它们的图谋已经破产。
荷兰的ASML也已迅速对此做出反应，ASML在这款国产5G芯片推出仅仅数天就表示可以对中国出售更先进的2000i光刻机，这台光刻机可以用于生产7纳米工艺，当年台积电就是以这台光刻机生产出第一代7纳米工艺，可以看出国产5G芯片的推出对他们的震撼有多大。
其次则是鼓舞了国产芯片研发自主芯片架构，由于ARM与中国芯片的合作受阻，至今ARM都未对多家中国芯片授权ARM V9架构，如今国产芯片通过自研芯片架构达到较为先进的水平，将促使国产芯片进一步研发自主芯片架构，目前国产芯片已大力推动RISC-V和loongarch架构的发展，依托于国产芯片的实力可望在这些受控的芯片架构上研发更先进的芯片。
再次则是先进芯片工艺的影响对国产芯片并没有预期的那么大，国产芯片可以通过芯片架构升级、芯片工艺变革来提升芯片性能，苹果的A17处理器在采用了最先进的3纳米工艺情况下也仅提升了10%的性能，意味着3纳米其实比5纳米并没有先进太多，这为国产芯片依托于现有工艺缩短与海外芯片的差距有了更充足的信心。
总的来说国产5G芯片的成功对国产芯片起到了鼓舞信心的作用，国产芯片将因此进一步推动自主研发，避免持续受制于海外芯片技术，知名院士倪光南早就指出国产芯片的先进技术是买不来的、求不来的，只能通过自主研发获得，如今这一切都得到印证，而随着国产芯片的推进，海外正逐渐认识到阻挡不了中国芯片前进的脚步。
原文标题 : 高通被撕下了遮羞布，国产5G芯片性能直追骁龙888，但功耗稍逊
