近日，美国再次升级了芯片禁令，在去年那份“史上最严”的禁令上，再次升级，重新制造了很多的细则。
其中针对AI芯片，一些消费级的GPU显卡，以及nvidia去年根据禁令，针对中国大陆市场，特意进行阉割，并符合去年禁令要求的H800、A800都被禁了。
另外，针对半导体设备，重新又提了要求，特别是光刻机方面，针对波长193nm、分辨率小于45nm的DUV设备，只要套刻精度的DCO值，小于等于2.4nm即不能销售，需要许可证。
目前ASML在售的所有浸润式光刻机，包括最老的那一款NXT:1980Di，其波长是193nm，分辨率是38nm，然后DCO值是1.6，所以去年的禁令能够销售，今年的禁令下，无法销售了。
美国为何会特意针对这款光刻机？其实并不是特意针对它，针的是所有浸润式光刻机，因为目前全球在售的所有浸润式光刻机，其DCO值都是小于2.4的，那么就全部不能销售。
为何要针对浸润式光刻机呢？原因很简单，那就是堵住之前的7nm芯片漏洞。
浸润式光刻机，虽然采用193nm的深紫外线，但通过水的折射之后，等效于134nm，经过多重曝光技术，最多可以生产出7nm的芯片。
前段时间，让大家沸腾的那颗9000S，其实就是采用浸润式光刻机，进行多重曝光的产物。
去年美国就想将中国芯片制造水平，锁定在14nm工艺，所以出台了那么严格的禁令，不曾想在光刻机这里，还有一个漏洞，让ASML的NXT:1980Di这样的光刻机，能够销售。
而这台光刻机，通过多重曝光技术，确实可以生产出7nm芯片，台积电第一代N7工艺，就是基于这台光刻机的。
而前段时间的9000S，虽然不知道是谁代工的，也不知道究竟是什么工艺。但对美国而言，这样的情况是不愿意看到的，所以不管是谁代工的，直接将这条路堵了再说。
在美国看来，管你谁代工的，只要将这个漏洞堵住了，浸润式光刻机买不到，那么7nm芯片就生产不出来了，那就行了。
接下来怎么办？短时间之内肯定没什么影响，毕竟目前国内还拥有很多的浸润式光刻机，还能继续用，但接下来可能买不到了，未来影响还是很大的，我们只有自己突破才行。
原文标题 : Kirin9000S大突破？美国禁售ArFi光刻机，堵住7nm芯片漏洞
