佳能5nm NIL光刻机告诉我们,绕过EUV,或许才是出路

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近日,佳能出货5nm的芯片光刻机,震惊了整个网络。

佳能官网发公告称,旗下最先进的新一代纳米压印(NIL)设备FPA-1200NZ2C正式出货。

这种光刻机,可实现最小线宽14nm的图案化,相当于目前5nm逻辑芯片。而一步,佳能要改进技术,有望实现2nm逻辑芯片。

可以说,佳能的这台光刻机一推出,将以往芯片制造的技术路线颠覆了。

以往当芯片进入到5nm时,必须使用EUV光刻机,因为除了EUV之外,其它最先进的DUV光刻机,也只能达到7nm的制程,再提升,就非EUV不可。

而EUV光刻机,目前全球只有ASML能够生产,更关键的是,EUV的核心供应商,全部ASML绑定在了自己的战车上,同时EUV专利,也基本被ASML垄断了。

所以如果其它厂商,想走EUV这条路,其实是千难万难的,不说一定不行,但走不走的通,还真说不准,因为ASML已经将路堵死了,要走就得自己打通一条路。

但现在佳能告诉我们,不一定非得搞定EUV光刻机,EUV那一套,可以被替代,不一定非得用EUV,这就是颠覆式创新了。

要知道在佳能之前,怎么颠覆EUV技术路线,有很多方案,比如佳能走的NIL纳米压印方案,还有俄罗斯走的X射线方案,欧洲厂商走的DSA方案,美国厂商走的BLE电子束方案。

但是谁走的通,谁能成功,谁也说不好,甚至有人认为,这些方案,都走不通,ASML地位稳如泰山。

但如今,佳能走通了,这对于ASML而言,肯定是坏的不能再坏的消息了,毕竟EUV不再是唯一了。

三大光刻技术,厂商们拥有的专利量

同时,这个消息,也给了我们启示,那就是我们接下来的光刻机之路该怎么走呢?死磕EUV,按照ASML的路走,还是换成NIL,或者其它方案呢?或许绕开EUV才是出路。

另外值得一提的,目前在NIL、EUV、DSA、BLE等方向上,中国大陆的厂商表现都不突出,如上图所示是几大技术方案的专利数量,佳能在NIL上处于垄断地位。

而ASML主要集中在EUV上,在NIL上也有一些布局。台积电、蔡司、三星主要集中在EUV上面。

       原文标题 : 佳能5nm NIL光刻机告诉我们,绕过EUV,或许才是出路

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