三款新器件为SMD的高功率系统带来了SuperGaN的常闭型（Normally－Off D－Mode）平台优势，此类高功率系统需要在高功率密度的情况下实现更高的可靠性和性能，并产生较低的热量
加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代电力系统的未来、氮化镓（GaN）功率半导体的全球领先供应商 Transphorm，Inc．（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封装的 SuperGaN FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，这意味着TOLL封装的SuperGaN功率管可作为任何使用e－mode TOLL方案的直接替代器件。新器件还具备Transphorm经验证的高压动态（开关）导通电阻可靠性——而市场上主流的代工e－mode氮化镓则缺乏这样的可靠性。
这三款表面贴装型器件（SMD）可支持平均运行功率范围为1至3千瓦的较高功率应用，这样的电力系统常用于高性能领域，如计算（人工智能、服务器、电信、数据中心）、能源和工业（光伏逆变器、伺服电机）以及其他广泛的工业市场。目前，氮化镓在这一市场领域的全球潜在市场规模（TAM）达25亿美元。值得关注的是，该新型功率器件是目前快速发展的人工智能（AI）系统最佳解决方案，AI系统依赖于GPU，而GPU的功耗是传统CPU的10到15倍。
目前，各种高性能领域的主流客户开始采用Transphorm的高功率氮化镓器件，为其高性能系统提供电力支持，应用领域包括数据中心电源、高功率电竞PSU、UPS和微型逆变器等。新型TOLL封装器件也能够用于电动汽车的DC－DC转换器和车载充电器应用，因为核心SuperGaN芯片已通过汽车行业（AEC－Q101）标准认证。
TOLL形式的SuperGaN FET是Transphorm推出的第六款封装类型，给予了客户最广泛的封装选择，以满足客户的不同设计需求。与所有Transphorm产品一样，该TOLL封装器件利用了Transphorm常闭型d－mode SuperGaN平台所固有的性能和可靠性优势。如需详细了解SuperGaN与 e－mode氮化镓的对比分析，请下载Transphorm公司最新发布的白皮书『Normally－off D－Mode 氮化镓晶体管的根本优势』，该技术白皮书的结论与Transphorm今年初发布的一份对比报告相一致——该比较显示，在一款市售280W电竞笔记本电脑充电器中，使用72 毫欧 SuperGaN FET直接替代尺寸更大的50毫欧e－mode器件，充电器的性能会更好。
SuperGaN 器件凭借无比卓越的性能引领市场：
l 可靠性：FIT＜ 0．03
l 栅极安全裕度：± 20 V
l 抗噪性：4 V
l 电阻温度系数（TCR）比 e－mode 器件低 20％
l 驱动方式更灵活：利用硅基控制器／驱动器中现成的标准驱动和保护电路
器件规格
该650V SuperGaN TOLL 封装器件性能稳健，且已获得JEDEC资格认证。由于常闭型d－mode平台是将GaN HEMT与低电压硅管配对，因此，SuperGaN FET 可以简单的选择使用常用市售栅极驱动，应用于各种软／硬开关的 AC－DC、DC－DC 和 DC－AC 拓扑中，提高功率密度，同时减小系统尺寸、重量和总成本。
器件 | 尺寸 （mm） | RDS（on） （mΩ） typ | RDS（on） （mΩ） max | Vth （V） typ | Id （25°C） （A） max |
TP65H035G4QS | 10 x 12 | 35 | 41 | 4 | 46．5 |
TP65H050G4QS | 10 x 12 | 50 | 60 | 4 | 34 |
TP65H070G4QS | 10 x 12 | 72 | 85 | 4 | 29 |
供货情况和设计开发资源
SuperGaN TOLL 封装器件目前可提供样品。如需申请样品， 请在公司网页提交申请：
基于该TOLL封装器件的系统开发和优化，请参考如下应用指南：
AN0009：Transphorm 氮化镓 FET 的推荐外部周边电路
AN0003：针对氮化镓功率开关的印刷电路板布局和量测
AN0014：适用于中低功率氮化镓 FET 应用的低成本、高密度、高电压硅驱动器
关于Transphorm
Transphorm， Inc．是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1，000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC－Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式，公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新使电力电子设备突破硅的局限性，以使效率超过99％、将功率密度提高50％以及将系统成本降低20％。Transphorm的总部位于美国加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。欢迎关注官方微信：TransphormGaN氮化镓。
