日前国产存储芯片企业之一宣布DDR5内存取得了重大突破，这对于国产芯片来说无疑是又一个重大突破，将加快国产存储芯片替代进口芯片。
据悉国产存储芯片新推出的LPDDR5内存颗粒的容量和读取速度都提升了50%，达到12GB、6400Mbps，功耗也降低了30%；针对服务器等产品的特殊需求，新款LPDDR5内存内置纠错码等技术，可以实时纠错，确保数据安全，增强稳定性。
存储芯片主要有NAND flash存储芯片和DDR内存芯片，这两种存储芯片，国内都有企业研发成功，并达到了世界领先水平，其中NAND flash存储芯片在去年率先量产了全球最先进的232层技术。
国产存储芯片在技术水平方面的快速提升，满足了手机、PC和服务器对先进存储芯片的需求，这次的国产LPDDR5内存也迅速获得了几家国产手机的认可，并已展开测试，预计很快就将搭载于手机上提供给消费者使用。
存储芯片是国产芯片当中取得突破的重要芯片种类之一，并且已达到了全球先进水平，这对于国产芯片来说具有重要意义，尤其是国产存储芯片成立于2016年，仅仅7年时间就达到了世界先进水平，证明了中国确实有足够丰富的人才和技术可以快速缩短乃至赶超全球芯片技术水平。
存储芯片这几年同样受到了芯片设备进口的困扰，不过两大存储芯片企业竭力解决困难，利用现有的芯片设备实现了先进的芯片技术，这让外国同行相当惊讶，中国芯片行业的创新力实在太惊人。
随着中国存储芯片的发展，全球存储芯片行业都感受到巨大的压力，因为中国是全球最大的存储芯片市场，国产存储芯片大举替代进口芯片，导致韩国的存储芯片出口暴跌，美国存储芯片企业美光连续亏损，美光仅是今年上半年年就巨亏42亿美元。
这几年中国的芯片行业已在太多芯片种类上打破了空白，近期有手机企业就表示推出的5G手机有九成芯片采用了国产芯片，存储芯片当然也是实现国产芯片替代的种类之一。
如今国产芯片替代率已提升到三成以上，随着国产芯片替代的推进，中国的芯片进口稳步减少，今年前三季度中国的芯片进口量同比减少14.6%，芯片进口额减少600多亿美，这已导致美国芯片蒙受了巨额的损失，至少四家美国芯片企业出现亏损。
随着国产芯片取得突破，美国芯片不仅大幅降价，还积极为中国市场定制相应的芯片，他们都担忧中国芯片取得突破后，将失去中国市场，就连此前态度强硬的美光也在近期派出高官访华，希望恢复与中国企业的合作，继续对中国销售存储芯片。
事实证明了只要中国芯片坚持自主创新，真正实现自主研发，国产芯片具有替代进口的芯片的能力，海外芯片就会迅速放下身段，降价求售，而不是如此前那样吊起来卖，还卖得死贵，这样的事实将促使中国芯片持续加强自主研发，打破海外芯片的垄断。
原文标题 : 国产存储芯片取得重大突破，容量提升五成，国产手机强力支持
