众所周知，在芯片制造过程中，光刻机是最重要，也是成本最高的设备之一，同时光刻工艺也是最复杂，难度最大，耗时最长的工艺。
同时，国产光刻机相对于国际领先水平而言，确实也落后很多，于是很多人一直心中有疑问，那就是国产光刻机，究竟发展到哪一步了？今天就和大家谈谈这个问题。
我们通常所说的光刻机，其实有两种。
一种是前道光刻机，用于芯片制造的光刻机，采用曝光工艺，将芯片设计电路图，投射到硅片上。
还有一种是后道光刻机，用于芯片制造完成后的封装用光刻机。
我们先不说前道光刻机，先说说后道光刻机，让大家高兴一下。
在后道光刻机这地块，其实国内技术并不差，上海微电子在后道光刻机领域，拿下了全球37%的市场份额，在国内更是拿下了85%的份额，比ASML厉害多了。
全球的封测企业，很多都从上海微电子这里采购后道光刻机，用于芯片封装。
当然后道光刻机，门槛没有前道光刻机那么高，难度也小一些，所以我们能够有这么厉害。
再说前道光刻机，这一块就是ASML的天下了，ASML一家就占了全球80%以上的份额。
而前道光刻机又分为i线、G线、KrF、ArF、ArFi、EUV这么几种，其中ArF是普通干式光刻机，最高工艺支持到65nm，ArFi则是浸润式光刻机，最高支持工艺是7nm。
EUV是极紫外线光刻机，用于7nm工艺以下。
目前全球只有ASML能够制造EUV光刻机。ArFi光刻机，全球只有ASML和尼康能够制造。
如上图所示，可以明显看到在前道光刻机这一块，4家主流玩家的工艺水平。
ASML处于王者地位，技术最牛，尼康差一些，达到了高端的水准，也就是ArFi。而上海微电子和佳能一样，处于低端领域，还在90nm工艺阶段。
当然，也有网友表示，国内水平不只是90nm，只是还没有公开而已，那这个就见仁见智了，没公开的我们就没法去说了，只能用公开的数据来分析。
由此可见，整个光刻机领域，后道光刻机，我们已经处于领先水平，主要需要突破的是前道光刻机，目前掌握的是ArF技术，下一步是要突破ArFi技术，也就是浸润式技术。
至于什么时候突破，就得看上海微电子的了，期待早突破吧，目前虽然在90nm，但只要一步，突破了ArFi，就能达到7nm，那么美国的封锁，直接就失败了。
原文标题 : 国产光刻机，究竟发展到哪一步了？90nm，还是7nm？
