尼康宣布，将于2024年1月正式推出ArF 193纳米浸没式光刻机“NSR-S636E”，生产效率、套刻精度都会有进一步提升。
据悉，尼康这款曝光机采用增强型iAS设计，可用于高精度测量、圆翘曲和畸变校正，重叠精度(MMO)更高，号称不超过2.1纳米。
分辨率小于38纳米，镜头孔径1.35，曝光面积为26x33毫米。
对比当前型号，它的整体生产效率可提高10-15％，创下尼康光刻设备的新高，每小时可生产280片晶圆，停机时间也更短。
尼康还表示，在不牺牲生产效率的前提下，新光刻机可在需要高重叠精度的半导体制造中提供更高的性能，尤其是先进逻辑和內存、CMOS图像传感器、3D闪存等3D半导体制造，堪称最佳解决方案。
另据了解，新光刻机的光源技术是20世纪90年代就已经成熟的“i-line”，再加上相关零件、技术的成熟化，价格将比竞品便宜20-30％左右。
不过，目前尚不清楚尼康这款光刻机能制造多少纳米的芯片。
日本尼康、佳能与荷兰阿斯麦(ASML)曾经是光刻机三巨头，但因为点错了科技树，没有跟上阿斯麦的193纳米浸没式光刻技术，逐渐没落，尤其是在EUV极紫外光刻技术上毫无建树。
为了生存，尼康、佳能基本放弃了对尖端光刻技术的角逐，更专注于难度更低、价格更低的成熟工艺光刻设备。
但他们也并非一无是处，比如佳能研发了纳米压印技术(NIL)，无需EUV就能制造5纳米芯片。
但是，佳能CEO Fujio Mitarai透露，公司的新纳米压印技术将为小型半导体制造商生产先进芯片开辟一条道路，但不会卖给中国厂商。
由于该设备可以用于制造5nm尖端制程芯片，且不是基于光学技术，引起了中国厂商的兴趣，但可能无法实现。
今年7月，日本扩大了对芯片制造出口的限制，但没有明确提到纳米压印光刻技术。
Mitarai称，佳能可能无法将这些机器运往中国。我的理解是，14nm技术以外的任何产品都是禁止出口的。
据悉，纳米压印技术采用与传统投影曝光技术不同的方法形成电路图案，该设备不仅功耗更低、更环保，而且成本远低于现阶段ASML的EUV光刻机。
Mitarai重申:“我不认为纳米压印技术会取代EUV，但我相信这将创造新的机会和需求，我们已经收到了很多客户的咨询。”
原文标题 : 日本宣布全新光刻机！精度小于2.1纳米、价格便宜30％
