目前的芯片制造工艺，均是光刻工艺，即通过光学--化学反应原理，将电路图传递到硅晶圆上，形成有效的电路图形。
而光刻工艺过程中，除了光刻机这种设备之外，还有一种化学材料必不可少，那就是光刻胶，它是光刻工艺中最核心的耗材，其性能决定着光刻质量。
大家都清楚，目前光刻机领域，日本处于垄断地位，拿下了全球80%以上的份额，特别是在高端光刻胶领域，更是垄断着市场，比如EUV光刻胶，全球仅日本厂商能够制造。
这对于中国芯而言，肯定是无法接受的事情，因为供应链被日本垄断，就有着断供的风险，所以这些年，中国光刻胶虽然一直以中低档产品为主，但高端领域正在逐步突破过程中，国产替代正在持续进行。
从具体的分类来看，光刻胶分为半导体光刻胶、LED光刻胶、LCD光刻胶和PCB光刻胶。其中半导体光刻机难度最高。
而半导体光刻胶按照工艺的先进性，又分为EUV光刻胶、ArF光刻胶、KrF光刻胶、I/G线光刻胶，这些光刻胶与光刻机又是一一对应，比如EUV光刻胶用于EUV光刻机，ArF光刻胶用于ArF光刻机。
由于国产光刻胶本来就起步晚，之前国产光刻胶，最多达到干式的ArF阶段，也就是干式ArF光刻机能够使用的光刻胶，从对应的芯片工艺来看，最高就是65nm左右。
不过近日，有国产厂商徐州博康表示，他们的2款湿法光刻胶，正在产品验证导入阶段，最高可以实现14纳米节点。
另外他们的I线光刻胶有15款产品，KrF光刻胶有30款产品，ArF光刻胶有26款产品，足以对日本的众多光刻胶进行国产替代。
事实上，研发光刻胶真的不容易，因为光刻胶是一些化学材料合成到一起的，研发过程就是是一个不断进行配方调试的过程。
而配方则是成百上千的树脂、光酸和添加剂的排列组合，要不断的尝试、验证，调整，最后才成研制出来，更重要的是，研发光刻胶，也不能买现成的来反向分析构成，因为一些材料混合一起后，成本会发生变化，分析不出来的。
同时材料的提纯等，也考验厂商的能力，就算你知道某些材料的构成，但如果提纯能力达不到，也是研制不出来成熟的光刻胶。
中国是全球第一大芯片市场，这几年芯片产能不断增长，更是制定了实现70%自给率的目标，所以对光刻胶的需求也是越来越大，同时随着工艺推进，对高端光刻胶的需求也大增。
所以国产光刻胶厂商，还得继续努力，完善产业链，加快供应链本土化，为光刻胶国产化贡献力量，早点进入7nm，甚至5nm、3nm，真正解决后顾之忧。
原文标题 : 进入14nm工艺，国产光刻胶大突破，减少对日本的依赖
