众所周知,随着芯片工艺的不断前进,光刻机也是不断的改进,越来越先进,越来越精密。
比如普通DUV光刻机,只能生产最低65nm的芯片,而浸润式DUV光刻机,则能生产最低7nm芯片,EUV光刻机则能生产5nm及以下的芯片。
可以说芯片工艺,与光刻机是相互促进的。
有了先进的光刻机,才能生产先进工艺的芯片。同时先进工艺的芯片,又推动光刻机的发展。
按照专家们的说法,目前的EUV光刻机,理论上能够制造2nm左右的芯片,而下代的EUV光刻机,理论上能够制造1nm左右的芯片。
然后芯片工艺想要再进前,则需要EUV继续升级突破,或者换成另外的光刻机,那么问题来了,EUV光刻机之后,光刻机的发展会是朝哪里突破?
事实上,三十年来ASML的技术领路人,ASML的联席总裁范登布林克就表示过,当EUV光刻机出货NA=0.55的High-NA EUV光刻机后,就无法再前进了,这将是最后一代EUV产品。
为何这么说呢,因为从现有的技术来看,EUV光刻机前进的三个方向,都已经是绝路了,至少在范登布林克认为,目前已经是技术的极限,跨不过去了。
对于EUV光刻机而言,突破只能从三个方向去努力。
一个方向是将13.5nm波长的光源换成更小波长的光源,但是目前的实验表明,波长再低,会被几乎所有的材料吸收,必须通过反射镜来反射,而经过收集反射后,光损失会非常严重,无法收集到足够的能量来进行光刻。
第二个方向则是提高NA值,也就是数值孔径,因为NA越大,收集和聚焦光就越多,但ASML认为,达到0.55后,也无法提升了。
还有一个方向则是提高光刻工艺因子,从而提高光刻的分辨率,但ASML认为,目前也达到了物理极限,供应链们难有突破。
所以ASML认为,当NA推进到0.55之后,EUV光刻机的发展,就达到了尽头,前面就是绝路了,至于接下来会是什么样的光刻机,ASML也没想清楚。
也许需要林本坚当初提出浸润式光刻机这种颠覆性的思路,也许要换成其它类型的光刻机。不过ASML日前已经宣布,联席总裁温宁克和范登布林克明年4月份退休,所以接下来突破的事,要交给他们的继任者了。
原文标题 : 怎么办?EUV光刻机前进的3个方向,已全部是绝路