利普思推出全新62mm封装SiC模块产品组合,性能达到业内一流水平。模块采用工业领域大量应用的62mm模块半桥型拓扑设计,使用高品质的成熟芯片,其耐压高、功率密度出众、短路耐量高、温度系数在1.4倍,优于行业水平。62mm封装SiC模块包含1200V和1700V耐压规格,满足大功率应用需求,特别适用于电网、轨交、储能、大电源等应用。
得益于采用业内领先的芯片方案,并运用了低热阻和低杂散封装技术,以及Si3N4 AMB低热阻基板的使用,使得利普思62mm封装SiC产品在功率密度、短路耐流、热阻等能力方面发挥出色,特别是在高结温的工况下,模块导通损耗和开关损耗指标显著优于行业水准。
如上图所示,在客户实际测试和应用中,对比市场主流产品62mm封装SiC模块,在同等Rg条件下,利普思模块在导通、关断、反向恢复等损耗均表现更好,且可以实现更快的开关速度,这一特性为客户的应用和驱动参数的设置上带来了更灵活的选择。
技术特点
● 耐压1200V 1700V可选
● 出众的电流输出能力
● 温度系数指标优于行业水准
● 低损耗,短路耐流能力优异
● Si3N4 AMB,低热阻
目前利普思62mm封装SiC模块已经进行上机测试并获得订单,涉及应用包括电网变流器和轨道交通车辆辅助逆变器,下游客户包括国内电网及海外轨道交通企业客户。
利普思一直专注SiC模块以及大功率IGBT模块的研发生产,今年利普思将加大对SiC模块的研发投入,包括2200V碳化硅模块在内的一系列新产品预计也将很快投入市场。
应用领域
● 智能电网
● 轨道交通
● 储能、充电
● 大功率电源
62mm封装SiC模块产品规格: