目前在芯片制造领域，光刻工艺是几乎所有晶圆厂，都采用的工艺，特别是在相对先进一点的制程中，全部是光刻工艺。
而光刻工艺下，光刻机、刻蚀机等必不可少，其中光刻机更是重中之重，因为其门槛高，研发难度，供应链复杂，是所有芯片制造设备中，价格最高的设备。
更重要的是，全球仅4家厂商，能生产光刻机，仅ASML这一家厂商，能够生产用于7nm及以下芯片的EUV光刻机。
ASML捆绑了上下游，更是坐拥无法EUV光刻专利，可以说任何一家光刻机厂，想制造出EUV光刻机来，都非常困难，ASML已经将所有上下游绑到自己的战船上了。
所以其它光刻机厂商，这几年，基本上都是绕开EUV技术，寻找另外的技术来实现EUV光刻机同样的功能。
其中有几种技术，大家也非常熟悉了，分别是NIL纳米压印，BLE电子束技术，X射线技术，以及DSA自生长技术。
这4大技术，均被认为是最有可能，绕开EUV封锁，实现7nm及以下技术的方向。
其中又在NIL纳米压印技术，进步最为迅速，日本光刻机厂商佳能，几年前就与SK海力士合作，推出了用于存储芯片的NIL纳米压印机来，不过都是用于65nm这样的工艺中。
而去年，佳能发布了最新的纳米压印半导体设备FPA-1200NZ2C，称其可以用于5nm芯片的制造，不必再使用EUV了。
而近日，佳能再表态，这款纳米压印机FPA-1200NZ2C，在今年会量产，这种纳米压印机的成本只有EUV的10%左右，耗电量也只有EUV 技术的10%。
同时，采用纳米压印机后，其配套的设备，相比起EUV配套设备的成本，要降低40%。
佳能还表示称，这款设备后续会持续升级，到2026年时，预计可以用于2nm芯片的制造，彻底绕开EUV光刻机方案。
当然，由于这款纳米压印机FPA-1200NZ2C还没彻底量产，所以不知道佳能是在吹牛，还是真的牛。
同时也有业内人士表示，纳米压印技术，良率估计达不到EUV，且产能、效率会远低于EUV方案，所以其实并不太适配大规模的芯片制造产业，更适用于小批量的芯片生产。
但不可否认的是，如果佳能的这种技术全面量产，对EUV光刻机而言，将会是一个巨大的冲击，是真正的搅局者。
因为禁令，我们目前肯定是买不到它，但至少也让我们有了新的方向可以借鉴，或许接下来，我们也不一定要死磕EUV技术，你觉得呢？
原文标题 : 今年5nm，2026年2nm，EUV光刻机搅局者，终于要量产了
