今年5nm,2026年2nm,EUV光刻机搅局者,终于要量产了

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目前在芯片制造领域,光刻工艺是几乎所有晶圆厂,都采用的工艺,特别是在相对先进一点的制程中,全部是光刻工艺。

而光刻工艺下,光刻机、刻蚀机等必不可少,其中光刻机更是重中之重,因为其门槛高,研发难度,供应链复杂,是所有芯片制造设备中,价格最高的设备。

更重要的是,全球仅4家厂商,能生产光刻机,仅ASML这一家厂商,能够生产用于7nm及以下芯片的EUV光刻机。

ASML捆绑了上下游,更是坐拥无法EUV光刻专利,可以说任何一家光刻机厂,想制造出EUV光刻机来,都非常困难,ASML已经将所有上下游绑到自己的战船上了。

所以其它光刻机厂商,这几年,基本上都是绕开EUV技术,寻找另外的技术来实现EUV光刻机同样的功能。

其中有几种技术,大家也非常熟悉了,分别是NIL纳米压印,BLE电子束技术,X射线技术,以及DSA自生长技术。

这4大技术,均被认为是最有可能,绕开EUV封锁,实现7nm及以下技术的方向。

其中又在NIL纳米压印技术,进步最为迅速,日本光刻机厂商佳能,几年前就与SK海力士合作,推出了用于存储芯片的NIL纳米压印机来,不过都是用于65nm这样的工艺中。

而去年,佳能发布了最新的纳米压印半导体设备FPA-1200NZ2C,称其可以用于5nm芯片的制造,不必再使用EUV了。

而近日,佳能再表态,这款纳米压印机FPA-1200NZ2C,在今年会量产,这种纳米压印机的成本只有EUV的10%左右,耗电量也只有EUV 技术的10%。

同时,采用纳米压印机后,其配套的设备,相比起EUV配套设备的成本,要降低40%。

佳能还表示称,这款设备后续会持续升级,到2026年时,预计可以用于2nm芯片的制造,彻底绕开EUV光刻机方案。

当然,由于这款纳米压印机FPA-1200NZ2C还没彻底量产,所以不知道佳能是在吹牛,还是真的牛。

同时也有业内人士表示,纳米压印技术,良率估计达不到EUV,且产能、效率会远低于EUV方案,所以其实并不太适配大规模的芯片制造产业,更适用于小批量的芯片生产。

但不可否认的是,如果佳能的这种技术全面量产,对EUV光刻机而言,将会是一个巨大的冲击,是真正的搅局者。

因为禁令,我们目前肯定是买不到它,但至少也让我们有了新的方向可以借鉴,或许接下来,我们也不一定要死磕EUV技术,你觉得呢?

       原文标题 : 今年5nm,2026年2nm,EUV光刻机搅局者,终于要量产了

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