目前全球最先进的芯片技术，是台积电的3nm，三星的3nm。至于其它晶圆厂，都没有这技术。
当然，关于它究竟是真3nm，还是假3nm，外界一直有各种猜测和怀疑，但真理掌握在台积电手中，他说3nm，就是3nm，你参奈何？
所以intel后来都没办法，将自己的工艺全部改名，改成什么intel7、intel4、intel3等等，来对应台积电有7nm、4nm、3nm工艺。
但其实啊，这些工艺还真不是什么7nm、4nm、3nm。
严格来讲，intel的intel4、intel3实际上是intel的7nm工艺，只不过intel认为它可以对标台积电的3nm，所以改成一样而已。
而近日，intel公布的intel3工艺相关参数指标，发现它确实是和台积电的N3是一致的，但虽然它叫intel3，实际上是7nm工艺。
首先啊，与intel4相比，intel3提升了18%性能的同时提升了14%的逻辑晶体管密度。相对应之下，台积电N3对比N4，可是只提升了15%左右的性能。
其次，在金属间距方面，台积电的N3对应的是45nm，而intel的intel3，对应的是42nm。
接着我们来看一个很重要的参数，那就是晶体管密度，如下图所示，intel4是123.4MTr/MM2，也就是1.234亿个每平方毫米。
而台积电的3nm是1.24亿个每平方毫米，intel4和台积电的N3差不多，而intel3则更强一点，晶体管数量更多。
由此可见，intel的intel3工艺，其实就是台积电的N3工艺，英特尔之前是将它叫做7nm的，后来看到台积电、三星们喜欢将数字改的越小越好，所以intel也打加入了这个命名大法中，改成了intel3，说是3nm。
由此可见，什么intel20应对台积电2nm，以及intel14对应台积电的1.4nm等，都不是真正的XX纳米，只是这么叫而已。
事实上，我们要知道一个事实，那就从14nm之后，所谓的XX纳米基本上都不是真的XX纳米了，而是一种营销上的说法。
以前intel还想实事求是，是多少就是多少，搞的工艺一直落后于台积电、三星，intel一直在14nm、10nm上打磨，搞出了14nm、14nm+、14nm++、14nm+++……
要是按照之前的搞法，估计intel进入不了5nm，会一直是7nm、7nm+、7nm++、7nm+++、7nm++++……
只不过后来intel开窍了，既然友商们通过改名大法，让业界觉得对方技术最先进，那么自己为何不仿效呢，改个名而已嘛，于是intel不再死守本份，也就有了一系列什么intel7、intel4、intel3、intel20A等等命名了。
这不，英特尔说自己今年就会推出intel20A，也就是2nm，要领先台积电、三星，看来intel终于学到了提升工艺的真谛了，那就是改名大法。
原文标题 : intel掀开台积电的老底？台积电3nm芯片，等同英特尔7nm
