英诺赛科被两大国际巨头“专利围剿”,获曾毓群等投资后赴港IPO

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作者:苏杭

出品:洞察IPO

2019年左右,卷得找不到方向的国产手机厂商们开始在充电功率上大做文章,体积小且能够大功率充电的氮化镓充电器粉墨登场,一时间各大手机品牌纷纷推出相关产品。当然,这背后离不开国内氮化镓芯片产业的高速发展。

近日,英诺赛科(苏州)科技股份有限公司(以下简称“英诺赛科”)向港交所递交招股书,拟主板IPO上市,中金公司、招银国际为其联席保荐人。

作为国内领先的氮化镓功率器件生产商,英诺赛科目前仍深陷亏损,融资60余亿元,估值超200亿元,目前仍面临半导体巨头的专利诉讼。

三年亏损67亿元

英诺赛科作为全球首家实现量产8英吋硅基氮化镓(GaN)晶圆的公司,也同时是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。

根据弗若斯特沙利文的资料,按收入计,英诺赛科于2023年在全球所有氮化镓功率半导体公司中排名第一,市场份额为33.7%。

氮化镓是第三代半导体材料的主要路线之一。第三代半导体材料是以碳化硅(SiC)、氮化镓等为主的宽禁带材料,适用于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。主要优势包括导通电阻低、开关频率高、耐高温、抗辐射等,可以大大降低器件的导通损耗,减小电路中储能元件的体积,提高系统可靠性等。

而氮化镓功率器件具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性,在消费电子、射频微波、5G领域,以及探测器、激光器等方面应用前景广泛。

目前,英诺赛科的经营主要采取IDM模式,具备从设计到制作到封装测试等全过程的自主能力。

截至2023年12月31日,英诺赛科拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地,产能达到每月10000片晶圆,晶圆良率超过95%。

英诺赛科的氮化镓产品包括分立器件、集成电路、晶圆及模组,主要应用于消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心等领域。

2021年-2023年,英诺赛科营业收入分别为6821.5万元、1.36亿元、5.93亿元;同期其净利润分别为-33.99亿元、-22.05亿元及-11.02亿元。

加回就发行予投资者的金融工具确认的负债账面值变动(主要由于授予投资者的赎回权的公允价值变动)及股权激励后的经调整净利润分别为-10.81亿元、-12.77亿元、-10.16亿元。

招股书显示,由于报告期初公司营运尚处于初始研发阶段,销售额有限,受工程和维护成本(主要包括生产氮化镓产品和维护设备的工程费用),及有关物业及设备的折旧及摊销成本等因素影响,英诺赛科各年度的毛利率分别为-266.1%、-289.4%、-61.0%。

曾毓群投资2亿元

第三代半导体在全球范围内的新一轮竞争下,英诺赛科也被寄予厚望。

2015年12月,离开NASA并先后两次创业的骆薇薇(Weiwei Luo)瞄准第三代半导体的广阔前景,回国注册成立了英诺赛科(珠海)科技有限公司(“英诺赛科苏州”)。

2017年7月,在当地政府以及投资机构的支持下,英诺赛科由骆薇薇持股59.5%的InnoScience Group Inc.(“ISG”)出资15亿元,苏州展翼、招银壹号、深圳共赢、吴江产投、深商创投分别出资1000万元、3890万元、110万元、1.5亿元、3000万元共同成立。

此后,英诺赛科先后融资5轮,共获资金约62.34亿元。参投机构及部门包括苏州市吴江国资委、韩国SK集团、珠海高新技术开发区管委会、中天汇富、中国平安、钛信资本、毅达资本等。

最近一次的E轮融资发生在2024年4月,获得了两大国资,武汉东湖新技术开发区管理委员会全资持股的武汉光谷芯,以及中国东方资产旗下的杭州光曜分别6亿元及5000万元的投资,此轮过后英诺赛科的估值约235亿元。

图片来源:英诺赛科招股书

值得一提的是,2021年2月,宁德时代董事长曾毓群个人出资2亿元向英诺赛科增资,并取得2.12%股权。2023年4月,曾毓群将全部所持股权装让给妻子洪华灿。

而2023年,客户G成为英诺赛科第一大客户,贡献收入1.89亿元,占英诺赛科当年总收入的32.1%。而客户G为一家2011年注册于福建,创业板上市的领先电池制造商,专长为电动汽车动力电池系统及能源储存系统的研发、生产及销售,相关信息与宁德时代高度相符。

被国际巨头起诉专利侵权

2023年5月,美国氮化镓厂商宜普公司(EPC)向加州地区法院和美国国际贸易委员会(ITC)提起诉讼,称英诺赛科侵犯了其涉及氮化镓功率半导体器件的4项核心专利(专利号分别为347、335、294及508)。

EPC认为,其原首席技术官和销售总监加入英诺赛科后不久,英诺赛科便推出与EPC关键性能指标几乎相同的产品,还在销售过程中宣称其产品与EPC产品“完全兼容”,积极向EPC公司的客户推销其产品。

EPC要求获得侵权赔偿,并希望禁止英诺赛科在美销售涉及侵权专利的氮化镓产品。

对此,英诺赛科已经向美国专利商标局专利审判和上诉委员会递交上述EPC专利的无效申请。2024年3月,美国专利商标局就EPC四件专利的无效做出立案决定。

目前,EPC已撤销347和335两项专利主张,而508专利和294专利仍在接受美国专利商标局的无效审查。

7月8日,据《第一财经》报道,ITC判定英诺赛科侵犯了EPC其中一项专利(294专利),但在508专利的权利请求中不存在侵权行为。

对于此裁定,英诺赛科称将在7月19日前向ITC复审委员会提出上诉,最终裁定预计将于美国时间2024年11月5日公布。

此前,英诺赛科曾向中国国家知识产权局提出申诉,主张EPC包括氮化镓在内的两项核心技术专利无效,但中国国家知识产权局确认了EPC在中国的两项对应专利的有效性。

若接下来的庭审不能翻盘,目前看来,短期内对英诺赛科的直接影响或也有限。报告期内,英诺赛科的主要收入来自于中国内地,境外收入各期分别仅18.1万元、614.6万元、5795.3万元,仅分别占总收入的0.3%、4.5%、9.8%。

不过,也有业内人士表示,虽然英诺赛科直接境外销售收入较少,但若客户的产品需要在美国销售,其与英诺赛科的合作也将受到影响。

无独有偶,2024年3月,德国半导体公司英飞凌也在官网发表声明称正在加利福尼亚州北区地方法院提起专利侵权诉讼,就英诺赛科侵犯其拥有的一项与氮化镓技术有关的美国专利寻求永久禁令。

据外媒6月12日报道,英飞凌也向德国慕尼黑地方法院提起相应诉讼,该法院已颁布初步禁令,要求英诺赛科不得在纽伦堡的“PCIM Europe 2024”展会上展示涉侵权产品。

英诺赛科则对此发布声明表示,该单方禁令仅适用于PCIM展会,并不影响展会以外的销售使用。

专利竞争如此激烈,氮化镓的火爆程度也可见一斑。

据英诺赛科招股书,2023年,全球氮化镓功率半导体市场规模为17.6亿元,在功率半导体市场中的渗透率为0.5%,占当年全球功率半导体分立器件市场的1.4%。预计到2028年全球氮化镓功率半导体的市场规模达501.4亿元,占全球功率半导体市场的比例将提升至10.1%,2024年至2028年复合年增长率达98.5%。

其中消费电子中的氮化镓功率半导体市场预期将由2024年的24.66亿元增长至2028年的211.33亿元,复合年增长率为71.1%;电动汽车领域市场规模预计将以216.4%的复合年增长率由2.46亿元增长至246.37亿元;可再生能源及工业领域、数据中心市场规模则分别预计将于2028年达到15.77亿元、14.62亿元,复合年增长率分别为69.1%、81.0%。

在可预见的未来,氮化镓的竞争势必愈演愈烈。但英诺赛科是否值得数百亿估值、能否赢得专利诉讼、何时才能扭亏,《洞察IPO》将持续关注。

敬告读者:本文基于公开资料信息或受访者提供的相关内容撰写,洞察IPO及文章作者不保证相关信息资料的完整性和准确性。无论何种情况下,本文内容均不构成投资建议。市场有风险,投资需谨慎!未经许可不得转载、抄袭!

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