国产芯片兴起正当时，存储界出现新的“中芯国际”．．．．．．
近日，据韩媒ZDNet Korea报道，国内存储芯片大厂长鑫存储（CXMT）已经成功量产DDR5内存芯片，成为继三星、SK海力士、美光后又一家可量产DDR5内存芯片的公司。目前已有多家DRAM模组厂商开始销售基于其DDR5芯片的DRAM模组。
国产DDR5良率接近80％，价格便宜29％
一位半导体行业相关人士表示，长鑫存储的DDR5生产采用了G3工艺（线宽17．5nm），正在与客户接洽，其所公布的良品率已经达到了约80％。而对比目前韩国国际一流存储厂商的80－90％，已非常接近。
多家国产存储模组品牌如金百达、光威等已经开始通过在线平台销售标注为“国产DDR5芯片颗粒”的32GB（16GB＊2） DDR5 DRAM模组。虽然并未说明其DRR5芯片的来源厂家，但是业界认为这些产品的芯片颗粒应该均由长鑫存储制造生产。
据网购平台商品信息显示，金百达推出的银爵系列DDR5内存，采用国产DDR5芯片颗粒，运行频率高达6000MHz，时序为CL36－36－36－80，工作电压为1．35V。光威推出的“龙武弈”系列DDR5内存，同样采用国产DDR5芯片颗粒，工作频率也达到了6000MHz，时序为CL36－40－40－96，工作电压为1．4V。
以往国外品牌的三星、SK海力士、美光等巨头在存储颗粒领域占据着主导地位时候，16G×2的主流6000Hz内存套装基本都维持在600－700元的区间。而国产DDR5芯片颗粒成功将价格打到了500以下，售价均为499元，价格降幅达到17％～29％。
目前DDR5芯片的生产通常使用10nm级别的光刻工艺（具体为10nm至14nm之间），市面上主流的DDR5品牌（如三星、美光、SK海力士）大多采用更先进的工艺节点，如1z nm（第三代10nm工艺）和1α nm（第四代10nm工艺）以及1β nm（下一代10nm工艺）。
而1α nm及更先进工艺中都需要使用EUV技术，减少工艺复杂度，提高良品率。较早期的DDR5芯片仍可通过DUV工艺制造，如ArFi（浸没式光刻）技术，但是由于工艺不及EUV，良率不佳会导致芯片成本过高。
和中芯国际采用N＋2工艺一样（虽未采用EUV光刻，采用DUV多重曝光工艺实现了7nm芯片的量产），长鑫存储能在工艺受限只能采用DUV工艺制造的情况下，通过G3工艺改良，量产DDR5芯片并达到80％的良率已实属不易。
结语
据网上披露信息，长鑫存储技术有限公司创立于2016年，专注于动态随机存取存储芯片（DRAM）的设计、研发、生产和销售，已推出多款DRAM商用产品，广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。
此前在2023年11月28日，长鑫存储便已经推出LPDDR5系列DRAM产品，并成功完成了小米、传音等国产手机品牌机型的上机验证。
在国际制裁环境下，长鑫存储通过G3工艺，继LPDDR5系列后，又实现DDR5的量产，且良率达到80％，已经能满足部分国内市场需求，中国的存储芯片产业正追赶上国际一流水平。
不可否认目前中国存储芯片在工艺上与国际水平有一定差距，但长鑫存储凭借价格优势和稳定供应链，特别是国内协会和企业纷纷呼吁采用“中国芯”的风向下，其在国内市场仍有很强的竞争力。
