前言：由于去年NAND产品价格低迷，为预防供过于求的问题，美光、三星、SK海力士、铠侠等公司自2024年第四季度起陆续实施了减产措施。
尽管减产的幅度不及之前，但这些措施缓解了市场供需失衡的状况。
此前，分析机构预测2025年上半年NAND价格将持续下跌，直至下半年才可能有所改善。
然而，从3月份开始，多家原厂频繁酝酿涨价，这一现象比预期来得更为迅速。
作者 | 方文三图片来源 | 网 络
存储巨头再一次集体开始涨价
近期，存储芯片市场出现价格上涨趋势，多家国际存储行业领先企业已宣布自4月起对其部分产品实施价格上调，国内存储厂商亦相继提升了产品提货价格。
全球第三大DRAM制造商美光科技于3月25日宣布涨价，表示[与存储器半导体相关的业务领域需求出现了意料之外的增长]。
美光公司也通知将对新订单实施价格增长，预计平均涨幅约为11%。
NAND存储器的主要制造商闪迪公司宣布自4月1日起对其所有渠道和消费类产品的价格进行超过10%的提升。
据韩国媒体报道，三星电子目前正在与全球主要客户协商提高存储芯片价格的事宜，提议价格提升幅度为3%至5%。
报道中提到，三星电子在半导体定价策略上一向持保守态度，在供应过剩和需求放缓的情况下，通常难以实现价格上涨。
但当前情况有所不同，由于客户开始囤积库存，导致对存储芯片的需求大幅增加。
据渠道方面的信息反馈，国产存储器品牌致态公司宣布，自4月起将对其提货价格进行上调，预计涨幅可能超过10%。
从国内市场的角度来看，国产NAND产品近期的价格上涨几乎已成定局。
近期，一家国内存储模组制造商的负责人指出，今年所有存储芯片原厂的价格均有所上涨。
几家存储芯片原厂在同一时期内的报价相近，差异不大。
其中，[小容量NAND是本轮价格上涨中反应最快的类别，也是最先出现反弹的品种]。
在当前的物价上涨趋势中，HBM备受瞩目。
诸如英伟达、AMD等半导体制造商纷纷抢购最新的HBM3E产品，导致其价格环比上升3%至8%。
为了在技术领域占据领先地位，美光公司投资70亿美元在新加坡建立了一个先进的封装工厂，预计将于2026年开始批量生产HBM3E以及更先进的HBM4芯片。
物价上涨的影响正在产业链中逐级扩散。
芯片制造商调整价格后，中游固态硬盘核心部件1Tb QLC晶圆的价格已经上涨至4.9美元，而16GB内存条所用的DDR4颗粒价格已突破2.2美元/颗。
根据市场研究机构DRAMeXchange于4月1日发布的报告，通用NAND闪存产品（128Gb 16Gx8 MLC）的平均固定交易价格为2.51美元，环比增长9.61%。
NAND闪存价格自2024年9月以来连续四个月呈下降趋势，但在今年1月出现反弹，并连续三个月上涨。
此波价格上涨并非偶然多重因素叠加
此轮价格上涨的主要推动力源自供应端。
若原厂继续以控制库存和提高价格为主要策略，预计短期内现货市场存储价格可能保持上升趋势。
首先，AI大模型的迅猛发展带动了数据中心对高容量、高速存储芯片的强劲需求。
NAND与DRAM作为核心配套资源，采购量同比增长超过40%。
此外，智能汽车、边缘计算设备的广泛普及也为高性能存储芯片开辟了新的增长市场。
存储行业素有[三大涨价利器]，而此次三大巨头的集体价格上涨，显然与这些因素密切相关。
在减产方面，2024年第四季度，三星、SK海力士、美光三大企业默契地形成了[减产联盟]，导致NAND芯片的总产量减少了13.7%。
相当于全球范围内减少了2.4亿个1TB固态硬盘的生产，这显著地改变了市场的供需平衡。
与此同时，自然灾害也成为了价格上涨的推手。
2024年11月，韩国釜山的三星工厂遭遇了突发的[停电事故]，官方声称损失了3万片晶圆的产能。
同样地，在2024年第四季度，美光位于中国台湾省的工厂发生了小规模火灾，工厂随后宣布[部分产能受损]。
这一事件被网友戏谑地称为[存储厂的消防系统似乎总在价格上涨前出现故障]。
除了减产和所谓的自然灾害外，需求炒作也是价格上涨的关键因素。
OpenAI被曝光大量囤积SSD，据某供应链高管透露，他们购买硬盘如同购买矿泉水一般，以集装箱为单位进行采购。
在消费端，手机和电脑等设备对存储的需求也在急剧上升，例如小米14 Ultra的[AI写真]功能每天生成100张照片，消耗10GB的存储空间；
联想AI PC要求最低配置为1TB SSD，有用户实测发现，在安装了Win12和AI助手后，512GB的硬盘迅速被填满。
此外，新能源汽车的[智能座舱]也成为了存储芯片市场的新兴战场。
例如，理想L9的车载系统占用256GB存储空间，小鹏XNGP智驾系统每天产生50GB的数据。
甚至有报道称特斯拉考虑取消[终身免费云存储]服务，转而采用[车端1TB硬盘订阅制]，预计月费可能达到99元。
此外，端侧AI的快速发展，使得AI耳机、AI眼镜、AI玩具等产品进入高速成长期，这也推动了存储芯片的量价齐升。
可以预见的是，在未来一段时间内，内存价格上涨将不再是意外，而将成为市场的新常态。
市场行情之外存储技术趋势凸显
QLC闪存已在企业级SSD中得到广泛应用，特别是在AI服务器和大数据存储领域，QLC凭借其高容量和低成本的优势，已成为首选技术。
QLC闪存性能已显著提升，尤其在随机读取和写入性能方面，QLC已接近甚至超越了早期的TLC（三层单元）闪存。
随着QLC技术的不断成熟，预计在未来几年内，QLC将在消费级和企业级存储市场中占据更大的份额。
Solidigm推出的QLC SSD，经过多年的深耕，已累计出货超过100EB，服务于全球70%的OEM AI方案供应商，深受数据中心和企业客户的青睐。
长江存储亦基于自主研发的Xtacking架构，推出了X4-6080（2Tb QLC）产品。
其次，HBM与DRAM的技术演进也是存储市场的重要技术方向。
以DeepSeek为例，目前其40%-60%的组件是通过SSD存储产品实现的，这些都属于基础设施的一部分，这也凸显了DRAM和HBM在其中所扮演的关键角色。
在接口技术方面，PCIe 5.0的快速普及是存储市场的一个重要趋势，国内厂商正在加快布局。
联芸科技方小玲博士在演讲中提到，随着AI 2.0时代的全面来临，AI PC将会快速崛起，随之而来的PCIe 5.0 SSD将迎来爆发性增长。
联芸科技为满足市场需求，即将推出MAP1802和1806这两款高PCIe5.0的SSD主控芯片。
MAP1806采用16TB大容量设计，能够充分满足对大容量、高性能有迫切需求的AI应用场景；
英韧科技的PCIe 5.0主控已于去年量产，并已布局了相关企业级产品矩阵，包括PCIe 5.0的QLC SSD产品，公司有意在明年推出PCIe 6.0相关产品。
结尾：
行业分析专家指出，此次物价上涨趋势可能会持续至2026年底。
据集邦咨询顾问最新调研报告预测，2025年第二季度，NAND Flash（闪存存储器）价格预计将较第一季度增长0%至5%；
3D NAND Wafers（三维NAND晶圆）价格环比增长预计为10%至15%；
Client SSD（客户端固态硬盘）价格环比增长预计为3%至8%。
TrendForce预测，NAND Flash的价格在第三季度环比增长将达到10%-15%，并在第四季度进一步增长至13%。
部分资料参考：富算：《存储界[大地震]：闪迪、美光、长江存储领衔，涨价潮来袭！》，半导体产业纵横：《存储芯片，正式涨价》，全球半导体观察：《存储市场价格风云再起：行情回暖，国产厂商加速崛起》，科创板日报：《存储芯片涨价潮！三星、海力士加入》，文刀芯：《存储春风来临，涨价将持续多久？》，芯师爷：《存储原厂连发涨价函，市场行情真相如何？》，钛媒体：《芯片巨头集体涨价！AI能否重塑存储芯片行业新格局》，半导体前线：《芯片巨头美光发涨价函！或涨价11%？》，中经e商圈：《存储市场现涨价信号！》，企业IT观察：《美光宣布内存涨价10%-15%》
原文标题 : AI芯天下丨产业丨存储市场再变，开始涨价浪潮！
