据悉，英特尔公司将投资55亿美元在中国大连建立固态硬盘（SSD）3D NAND闪存工厂。
英特尔表示3D NAND首个生产工厂将落户中国东北城市大连，预计于2016年下半年投产。今年三月，英特尔与合作伙伴美光科技公司宣布联合开发3D NAND，这被誉为是全球最高密度的闪存存储。
中国就在国内努力建立存储器芯片制造达成广泛共识。早在7月，中国政府支持的投资公司出资230亿美元收购美光。据报道，该项提议被取消，因为他们认为这不太可能赢得美国监督机构的批准。
英特尔是否收到政府的财政支持来实现大连晶圆厂向3D NAND生产的过渡融资尚不得而知。英特尔发言人表示：“不幸的是，我们不会披露英特尔与政府机构的投资协议细节。”
英特尔非易失性存储器部门总经理Rob Crooke在一份备忘录中表示，英特尔与大连市政府将继续建立良好的合作伙伴关系。
研究市场机构Gartner半导体研究副总裁Joseph Unsworth表示，英特尔大连晶圆厂改生产3D NAND将允许英特尔在自己的工厂生产该技术。最终，英特尔生产非易失性存储器将为公司的固态硬件业务推波助澜并将减少数据中心的存储瓶颈，Unsworth在电子邮件沟通中提到。
英特尔大连晶圆厂于2010年投产，主要是生产65nm逻辑芯片。
在备忘录中，Crooke表示英特尔固态硬盘销售今年每季度都实现了两位数的同比增长。Crooke认为英特尔对大连工厂生产的3D NAND制造拥有长远的计划。明年将投资55亿实现大连晶圆厂向先进的非易失性存储器生产的过渡。
扩张是英特尔全球多源供应策略的一部分，Crooke补充道。（编译：Silvia）
