沈磊表示，与FinFET工艺相比，FD-SOI工艺所需掩膜版更少，费用更节省，出片也更快。设计方案从体硅工艺迁移也更简便快捷。
IBS 首席执行官Handel Jones则比较了16/14纳米FinFET与14纳米FD SOI的晶圆成本与单位晶体管成本，根据他的计算，14纳米FD-SOI工艺单位晶体管成本比相应的FinFET工艺低了近17%。
FD-SOI工艺成本更低
FinFET高昂的开发成本（据Gartner最新数据，开发一款14纳米FinFET芯片，费用为8000万美元左右）使得越来越少的设计公司能够跟上工艺进步的步伐。物联网终端产品需求量大，并不要求极致的性能，但对功耗与成本要求极高，FD-SOI工艺成为绝佳的选择，用沈磊的话说就是“适合的工艺是最好的工艺。”
28纳米以后的FinFET工艺晶体管成本不再下降
除了低功耗与低成本，FD-SOI工艺在可靠性上也表现出色。沈磊指出，从意法半导体给出的数据来看，由于FD-SOI工艺的敏感体积更小，对闩锁效应（latch-up）免疫，具备更低的SRAM软错误率，以及更好的电磁兼容性，使其更适用于高可靠应用领域，例如汽车、银行与生命维持系统等。
FD-SOI工艺可靠性更高
芯原微电子创始人、董事长兼总裁戴伟民也表示，FD-SOI工艺的超低软错误率可减少存储消耗，非常适用于汽车电子领域。芯原SiPaas（芯片设计服务平台）中的汽车电子设计指南结合FD-SOI工艺，推出的汽车仪表盘片上系统方案可帮助设计公司通过车规ISO26262 ASIL资质。
越过28纳米节点以后，一直是FinFET的光芒更加耀眼，但FD-SOI也持续努力地寻找生存空间。低功耗、低成本、高可靠，这些特质与物联网终端的需求天然匹配，但往届只有意法半导体与恩智浦有产品量产，所以很多公司都在观望。本届论坛上索尼GPS芯片的量产引起了很多设计公司的关注，笔者了解到，国内已有一些公司在尝试采用FD-SOI工艺开发芯片，尤其是应用于超低功耗或高可靠环境下的案例颇多。
FinFET还会领先，但FD-SOI曙光已现，当有更多的设计公司、IP公司与系统公司真正参与到FD-SOI生态圈时，转折点或已到来。就像戴伟民在演讲中最后总结到：赢了多少次并不重要，重要的是你是否赢了关键的那几次。
