电压突变＆电流突变的两种噪声模式在开关过程中都会引起EMI的问题！SiC 其高的du／dt 更明显！
SiC－MOS特性：
A．快的开关速度
B．低的开关损耗
C．高的du／dt
SiC－MOS在汽车电子的优势：
A．功率损耗降低；效率高，提高电池续航能力；
B．高温高压高频；更小体积
SiC－MOS在汽车电子的EMI问题：
A．更高的du／dt；di／dt
B．电力电子功率器件在EMI骚扰源端的电压电流振荡
那么我们设计的机理：
从噪声源头出发，了解寄生分布参数为线，通过路径来优化EMI设计！我提供完整的电子线路的解决思路进行参考－如下所示；
EMI传导的问题通过插入滤波器（共模电感＆磁环如图示）进行优化；通过噪声源特性／优化路径进行EMI辐射的设计；
新能源汽车电子系统－最后再通过屏蔽连接线＆电缆布局走线同时优化EMI！达到最佳化的设计！参考思路如下：
双绞线可以有效地屏蔽磁场干扰，屏蔽线可以有效地屏蔽静电干扰；
关键的信号线，如SiC／IGBT门极驱动信号，CAN通信用双绞线或双绞屏蔽线等；
信号线屏蔽层单端接地，且应选择干净稳定的地，例如控制器外壳，车身，发送或接收端的地（抗干扰）；
动力线屏蔽层两端接机箱和电机外壳，构成一个完整的屏蔽体，使共模电流不从其他导体返回（降干扰，这和信号线屏蔽层单端接地抗干扰不同）；
屏蔽层用航空接头360°良好连接；
对重要的信号线，每根信号线分配一根地线；
动力线布线的环路面积越小越好；
动力线与信号线、控制线尽可能远离，切忌近距离平行布线，否则要认真处理好各自的屏蔽层接地，套金属波纹管；
敏感部件和系统尽量远离强干扰源；
信号线要贴近底盘布线；
通过电器设备的合理布局，使布线尽可能短等等。
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杜佐兵
电磁兼容（EMC）线上＆线下高级讲师
杜佐兵老师在电子行业从业近20年，是国家电工委员会高级注册EMC工程师，武汉大学光电工程学院、光电子半导体激光技术专家。目前专注于电子产品的电磁兼容设计、开关电源及LED背光驱动设计。
2019年在电源网研讨会和大家一起进行交流！
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