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SK海力士2025年第一季度财报，营收环比下降11%，但同比增长42%，营业利润率达42%，净利润率46%，具备强劲的盈利能力。
DRAM和NAND业务均实现增长，HBM等高端产品技术进步显著，为公司在AI内存市场奠定了竞争优势。
SK海力士在台积电2025北美技术研讨会上展示了HBM4、HBM3E及高性能服务器模块，在AI与数据中心领域的技术领先地位，在AI时代SK海力士的整体占位是非常好的。
Part 1
SK海力士
2025年第一季度财报分析
SK海力士2025年第一季度财报展现了稳健的增长与高盈利能力：
◎ 营收：17.64万亿韩元，环比下降11%（较2024年第四季度的19.77万亿韩元），但同比增长42%（较2024年第一季度的12.43万亿韩元），环比下降主要受去年四季节因素，同比增长则确实是内存市场需求的强劲复苏。
◎ 营业利润：7.44万亿韩元，环比下降8%，同比增长158%，营业利润率达42%。高利润率表明公司在成本控制与高端产品布局上成效显著。
◎ EBITDA：10.77万亿韩元，环比下降4%，同比增长77%，EBITDA利润率61%，凸显了卓越的运营效率。
◎ 净利润：8.11万亿韩元，净利润率46%，同比增长323%，显示出公司在盈利能力上的大幅提升。
现金储备增至14.31万亿韩元，债务为23.33万亿韩元，债务权益比从53%降至29%，净债务权益比从35%降至11%。
SK海力士的DRAM和NAND业务均实现增长，但增长动力与价格走势差异显著：
◎ DRAM业务：营收环比实现高个位数增长，平均销售价格（ASP）持平。稳定需求得益于AI服务器、PC及智能手机市场的增长，尤其是AI PC与服务器对高性能DRAM的需求推动了营收增长。ASP持平表明市场竞争较为温和，公司在高端DRAM（如HBM）领域的定价能力较强。
◎ NAND业务：营收环比实现高两位数增长，ASP环比下降约20%。增长主要由市场复苏及Solidigm业绩合并驱动，但ASP下降反映了NAND市场竞争加剧及供应增加的压力。eSSD（企业级固态硬盘）需求的增长为NAND业务提供了中长期动能。
SK 海力士对 2025 年市场展望持谨慎乐观态度。一方面，预计宏观不确定性因素，诸如关税政策等，将对下半年市场需求产生影响，各细分市场也存在着显著的增长机遇。
◎ 在 PC 市场，由于 Win10 停止支持，将引发一轮更新周期，同时 AI PC 需求增长，会推动高性能内存模块如 LPCAMM2 的出货。◎ 智能手机市场中，新机型搭载 AI 功能刺激换机需求，进而提升对 DRAM 的需求。◎ 服务器市场，大科技公司资本支出增加以及 AI 生态扩张，将驱动 HBM 与 LP DRAM 模块（如 SOCAMM）的长期需求。NAND 市场在 2025 年因供应因素将迎来复苏，eSSD 需求增长更是中长期的增长点。
公司二季度DRAM预计环比低两位数增长，NAND预计环比增长超20%（含Solidigm），显示出对市场复苏的信心。启动龙仁第一座工厂建设（2027年投产）及M15X工厂建设（2025年第四季度投产），以扩大高端内存产能。
公司强调将根据市场情况审慎运营新设施，平衡供需。HBM3E 12Hi过渡顺利，HBM4 12Hi样品已交付，计划2025年量产；推出AI PC高性能内存模块LPCAMM2及AI服务器LP DRAM模块SOCAMM，巩固在AI内存市场的领先地位。
高利润率与财务结构的优化表明公司在成本控制与高端产品布局上成效显著。
DRAM与NAND业务的差异化表现反映了市场需求的多样性：DRAM得益于AI驱动的高端需求，NAND则受益于市场复苏与eSSD增长。
Part 2
在台积电2025北美技术研讨会上
的产品展示与市场布局
SK海力士在台积电2025北美技术研讨会（美国加州圣克拉拉）以“存储器，赋能AI与未来”为主题参展，展示了HBM4、HBM3E及高性能服务器模块等突破性内存解决方案。
台积电技术研讨会是全球半导体行业的重要盛会，汇集了台积电及其生态伙伴，分享最新技术与产品动态。SK海力士借此平台彰显其在AI内存领域的技术领先地位，并通过与台积电、NVIDIA等伙伴的合作，拓展AI内存生态系统。
在HBM解决方案展区，SK海力士展示了12层HBM4与16层HBM3E样品：
◎ 12层HBM4：作为下一代HBM产品，HBM4每秒数据处理能力超过2TB，显著优于前代。2025年3月，SK海力士率先向主要客户交付HBM4 12Hi样品，计划2025年下半年量产。这一进展使其在HBM市场保持技术领先，满足AI服务器对高带宽、低延迟内存的迫切需求。◎ 16层HBM3E：与NVIDIA的Blackwell GPU B100（搭载8层HBM3E）同台展出，凸显了SK海力士在AI计算生态中的重要角色。HBM3E 12Hi的比特销售额预计于2025年第二季度超过HBM3E 8Hi，显示出市场对更高堆叠HBM的强劲需求。
通过3D模型展示了TSV（硅通孔）与Advanced MR-MUF技术。
◎ TSV通过垂直电极连接DRAM芯片上下层，提升数据传输效率；◎ Advanced MR-MUF融合翘曲控制与新型散热材料，使芯片厚度减少40%，堆叠稳定性与散热性能显著提升。这些技术为HBM4的高性能与量产化提供了支撑，通过与NVIDIA的合作突显了其在AI计算生态中的战略地位。HBM4的提前布局与量产计划进一步巩固了其市场先发优势。
在AI/数据中心解决方案展区，SK海力士展示了基于DDR5 DRAM的高性能服务器模块，包括RDIMM、MRDIMM及3DS RDIMM，均采用1c节点（第六代10纳米工艺）制造：
◎ MRDIMM系列：速度达12.8Gbps，容量覆盖64GB、96GB及256GB，通过同时操作两个列提升数据处理速度，适合高性能AI服务器。◎ RDIMM模块：速度8Gbps，容量64GB与96GB，满足通用服务器需求。◎ 3DS RDIMM：256GB容量，采用TSV技术实现DRAM芯片堆叠，提升带宽与容量，适用于数据密集型AI应用。
这些模块聚焦于提升AI与数据中心性能，同时降低功耗，体现了SK海力士在服务器内存领域的全面布局。1c节点的采用进一步优化了功耗与生产效率，为高性能模块的规模化生产奠定了基础。
台积电作为全球领先的晶圆代工厂，为SK海力士的HBM与DRAM生产提供了先进工艺支持。双方在TSV、Advanced MR-MUF等技术上的协作，提升了HBM4的性能与可靠性。
HBM3E与Blackwell GPU的联合展示，凸显了SK海力士在AI GPU内存供应链中的核心地位。HBM4的提前交付进一步深化了与NVIDIA的战略合作，为未来AI计算平台提供支持。
通过展示HBM、RDIMM及MRDIMM等产品，SK海力士旨在构建覆盖AI服务器、数据中心及AI PC的全面内存解决方案，拓展生态影响力。
小结
SK海力士2025年第一季度财报展现了强劲的盈利能力与财务健康，DRAM与NAND业务的增长反映了内存市场的复苏与AI驱动的需求动能，HBM等高端产品的技术突破与产能扩张计划，提供了战略支撑。
在台积电2025北美技术研讨会上，SK海力士通过HBM4、HBM3E及高性能服务器模块，与台积电、NVIDIA的深度合作进一步巩固了其市场竞争力。
原文标题 : SK海力士25年一季度财报分析，高性能存储技术展示市场潜力
