根据台湾《经济日报》的报道，为了满足未来在5G时代中包括人工智能、物联网、智能驾驶等应用的需求，全球第三大DRAM制造商之一的美光（Micron）将斥资超过新台币4，000亿元（约人民币909亿元），在台中中科厂区兴建两座晶圆厂扩大产线。
报道指出，美光作为在台湾投资最大的美商，这次再加码投资台湾，是计划在中科再兴建A3及A5两座厂房。其中，在A3厂房方面，预计2020年8月份完工，并且在第4季陆续导入试产最新的第3代10 纳米级（1z nm）制程。至于，在第2期的A5厂房方面，美光则会依据届时市场上的需求，逐步增加产能。据了解，目前规划的月产能为6万片。
据了解，美光A3厂目前已进入兴建阶段，并且以扩建无尘室为主，而且还将加入包括桃园与台中中科前段晶圆厂的生产线，并进一步提升美光在台DRAM卓越中心的设备更新、技术升级。至于两个厂的投资金额与其他细节规划，美光则不方便透露。另外，除了产能的扩充之外，美光将进一步整并现有的组织架构。
事实上，美光日前就已经正式宣布开始量产第3代10纳米级（1z nm）制程DRAM，而且市场人士也预计将会在台中中科厂区规划产线生产，如今也证实了该消息。而根据美光日前的表示，与第2代10纳米级（1y nm）制程相比，美光的第3代10纳米级（1z nm）制程技术将使该公司能够提高其DRAM的单元密度，进而增强性能，并且降低功耗。
此外，以第3 代10 纳米级制程所生产新一代DRAM，就同样是16GB DDR4 的产品来比较，功耗较第2 代10 纳米级制程产品低40％。另外，在16GB LPDDR4X DRAM 方面，1z nm 制程技术将较1y nm 制程技术的产品节省高达10％ 的功率。而且，由于1z nm 制程技术提供的单元密度更高，这使得美光可以降低生产成本，未来使得存储器更加便宜。
美光这次的扩厂主因，除了看准未来5G时代的市场需求之外，另外就是在日韩贸易战的状况下，有可能使得三星与SK 海力士的生产遭受影响，导致市场的需求与价格的提升，逐步摆脱先前存储器低迷的情况，因此才会大动作宣布扩厂。而扩产的当下，未来也预计美光将需要增加人手，进一步进行大规模招人的动作。
