近日，全球第二大晶圆代工厂格芯（GlobalFoundries）宣布，采用12nm FinFET工艺，成功流片了基于ARM架构的高性能3D封装芯片。这意味着格芯亦投身于3D封装领域，将与英特尔、台积电等公司一道竞争异构计算时代的技术主动权。
格芯转战3D封装领域
格芯新开发出基于ARM架构的3D封装芯片，是采用格芯的12纳米FinFET制程所制造，采用3D的ARM网状互连技术，允许资料更直接的传输到其他内核，极大化的降低延迟性。而这样的架构，这可以降低资料中心、边缘运算以及高端消费者应用程式的延迟，并且提升数据的传输速度。（AI芯天下）
格芯新开发出基于ARM架构的3D封装芯片，可以进一步在每平方公厘上达成多达100万个3D的连接，使其具有高度可扩展性，并有望延展12纳米制成的寿命。另外，3D封装解决方案（F2F）不仅为设计人员提供了异构逻辑和逻辑／存储器整合的途径，而且可以使用最佳生产节点制造，以达成更低的延迟、更高的频宽，更小芯片尺寸的目标。
格芯表示，因为当前的12纳米制程成熟稳定，因此目前在3D空间上开发芯片更加容易，而不必担心新一代7纳米制程所可能带来的问题。然而，台积电、三星和英特尔能够在比格芯小得多的节点上开发3D芯片，而且也已经相关的报告。而何时推出，就只是时间上的问题。届时，格芯是否能以较低廉的价格优势，进一步与其他晶圆生产厂商竞争，就有待后续的观察。
3D封装火热 台积电和英特尔各领风骚
同为半导体巨头的台积电、英特尔在3D封装上投入更早，投入的精力也更大。
①推进摩尔定律台积电力推SoIC 3D封装技术
台积电首度对外界公布创新的系统整合单芯片（SoIC）多芯片3D堆叠技术，是在2018年4月的美国加州圣塔克拉拉（Santa Clara）第二十四届年度技术研讨会上。
根据台积电在第二十四届年度技术研讨会中的说明，SoIC是一种创新的多芯片堆叠技术，是一种晶圆对晶圆（Wafer－on－wafer）的键合（Bonding）技术，这是一种3D IC制程技术，可以让台积电具备直接为客户生产3D IC的能力。
让外界大感惊艳的是，SoIC技术是采用硅穿孔（TSV）技术，可以达到无凸起的键合结构，可以把很多不同性质的临近芯片整合在一起，而且当中最关键、最神秘之处，就在于接合的材料，号称是价值高达十亿美元的机密材料，因此能直接透过微小的孔隙沟通多层的芯片，达成在相同的体积增加多倍以上的性能，简言之，可以持续维持摩尔定律的优势。
