与非网 12 月 26 日讯，如果为风水轮流转添加注解，那么存储芯片领域则是最佳实例；而如果为“打脸”戏码寻找主角，存储芯片业内厂商们则当仁不让。
彼时，包括英特尔、IBM、摩托罗拉、美光、Mostek National 以及德州仪器在内的厂商，铸就美国包括 DRAM 在内的整个内存领域霸业。
上世纪 70 年代中期，日本半导体灵魂人物垂井康夫率领日立、NEC、富士通、三菱与东芝，以政府贷款与税费优惠等措施，向美国发起饱和攻击，仅用了 10 年时间便占据内存领域 50％市场份额，从美国手中夺下皇冠。
图源 ｜ russianconcouncil．ru
几乎与日本内存产业腾飞同一时期，韩国破釜沉舟并以 10 年的自杀性投资，且正值美国对日本发起反倾销，日本半导体出口美国受到毁灭打击，三星借此借此崛起，将日本赶下半导体神坛，同样也包括存储芯片市场。
美国、日本与韩国在存储领域多次起承转合的王者更迭，目前在 DRAM 市场已形成三巨头的寡头垄断局面。截止目前，三星市占达 43．9％，紧随其后的是 SK 海力士（29．5％）与美光（23．5％），三家总市占接近 97％。
如果此时提及中国存储芯片厂商冲击韩国三星们的市场地位，可能会显得不合时宜。但回溯到上世纪 60 至 90 年代，又有谁想到，日本在内存方面击败美国后，随后惨败给韩国？
正如海外知名半导体论坛分析师 Robert Maire 所言，考虑当前主流存储厂商仍挣扎于市场供过于求旋涡中时，以及全球政治局势与资本倾斜，有理由相信，以合肥长鑫为首的 DRAM 厂商，有较大机会突出重围，挑战韩国霸主地位。
奇梦达技术授权 避开制裁戏码
长江存储、合肥长鑫与福建晋华被称为中国存储三剑客，是本土半导体打破海外厂商垄断的希望。前者聚焦 NAND 闪存芯片的研发与生产，而后两家企业的业务则针对 DRAM 存储器。
2018 年 11 月，由于与美国 DRAM 存储器巨头美光之间的诉讼纠纷，福建晋华被美国列入出口管制的实体名单，台湾联电随机宣布暂停对其提供技术与研发支撑，直接导致晋华生产与运营陷入停滞状态。
而彼时，晋华生产车间内已有 200 台设备就绪，并计划在 1 个月后的年底投入小规模量场试验，官方预计今年初可实现量产，并有很大机会成为首家量场 DRAM 存储器的本土厂商。
至此，长鑫成为本土 DRAM 突围短期内唯一的希望。今年 9 月，长鑫宣布 12 英寸 DRAM 生产线已经提前投产，据悉投产的 DDR4 芯片通过了多个国内外大客户验证，将于底会正式交付，这将有助于替代进口 DRAM。
图源 ｜ 长鑫
另外，正如长鑫董事长兼 CEO 朱一明表示，长鑫核心技术来自奇梦达（Qimonda），后者自 2006 年从母公司英飞凌剥离后一路开挂，DRAM 产品销量并稳居全球第二，300mm 晶圆领导者和 PC 及服务器 DRAM 产品市场最大的供应商之一，戏剧化的是三年后其申请破产。
长鑫通过与奇梦达的合作，共将一千多万份 DRAM 相关的技术文件（大小约 2．8TB）收入囊中，截止目前共有 1．6 万项专利申请，据悉长鑫方面随后对部分技术细节进行修改，以规避美国方面的实体名单出口制裁。
综上，长鑫由于可追溯的专利技术，以及提前在风险规避方面的布局方面，因此其在中美贸易战不稳定局势下，仍具备相对稳定的发展空间。
拥抱主流架构 创新技术探索
技术方面，目前长鑫面对的最大质疑为奇梦达技术聚焦在沟槽式路线，长鑫作为继承者却选择堆栈式技术方向。其实，奇梦达早前已提出过埋入式电栅三极管（Buried Word Line Transistor）的概念，最大限度提升三极管性能，而奇梦达可能只是生不逢时。
堆叠式架构在 2018 年成为主流，奇梦达基于埋入式电栅三极管的 46nm 产品，在当时已完成研发。但同年金融危机的爆发，致使 DRAM 价格断崖式下滑，奇梦达堆叠式技术还正式进入量场阶段，便于 2009 年宣告破产，随后该项技术 ／ 方案被无限期雪藏。
图源 ｜ EE Times
业内人士称，通过对比三星、SK 海力士与美光的主流 DRAM 产品与方案，均与早前奇梦达的堆叠式架构有异曲同工之妙，包括 DRAM 单元三极管以及蜂窝式电容结构等，也从另一角度说明各厂商间的殊途同归。
