而值得一提的是，长鑫从奇梦达手中接过堆叠式架构的相关技术专利，并通过引入双重图案对准（SADP）以及四重图案对准（SAQP）等技术，并从内外双面电容逐渐走到外部的单面积电容（柱状电容），成功将奇梦达的 46nm 平稳推进至 10nm。
此外，先进晶圆代工工艺在摩尔定律影响下，已发展至 5nm 及以下制程，DRAM 工艺不可避免的也将走向 10nm 以下。因此，开发环绕式三节晶体管结构 GAA（Gate－all－around）以及其他新型的存储器技术等是大势所趋。
长鑫方面的消息是，该公司已开始在 HKMG、EUV 和 GAA 等新技术方面的探索。长鑫采用从研发到生产的 IDM（Integrated Device Manufacture）的模式。截止目前，一期厂房设计月产能 12 万片 12 英寸晶圆，装机月产能 2 万片，正在评估年底月产能 4 万片的可行性。
设备利用率低 产能有待提升
目前来看，长鑫在产能为每月 2 万片，与巨头三星们的不可同日而语。但无法忽视的是中国厂商在技术与生产层面达到相应水平后，不计成本以占领市场份额的激进方式，以及本土市场强大的需求与消化能力。因此，市场潜力也是分析师 Robert Maire 看好长鑫的主要原因。
此外，鉴于传统 DRAM 厂商追逐利润的运营模式，在产能保证前提下，如果长鑫强势发起市场攻占策略，之于原本脆弱的 DRAM 供需市场将是重磅炸弹，若传统厂商保持价格不变来应对，直接的后果则是新一轮 DRAM 产品大规模堆积。
三星在行业低谷期多次利用“反周期”定律，加剧行业亏损，迫使同行业企业破产，最终牢牢占据行业头把交椅。而可以预知的是，在不远的将来，长鑫也将由可能具备向三星发起以其人之道还治其人之身的挑战。
图源 ｜ Seeking Alpha
产能方面，中国具有实现包括 DRAM 在内的存储芯片量产的能力。举个简单的例子，中国市场占据美国半导体系统控制与产出管理设备厂商 KLA 全年营收的 1／3，但中国厂商的半导体相关产出却没有达到全球 1／3 的规模，特别是在 DRAM 在内的存储芯片领域的产能。
因此，该现象说明在半导体生产设备的利用率方面，中国厂商还存在巨大的进步空间，但是随着设备利用与磨合的进一步深入，本土厂商在短时间内，仍有较大机会在现有设备资源情况下，释放相当大部分的产能。
写在最后
复盘 DRAM 历史发展，审视以长鑫为代表的本土厂商，拥抱主流技术（堆栈式架构）与创新型存储技术的引入，本土强劲的内需驱动，技术专利纠纷风险的规避，以及生产设备释放的产能潜力。
因此，与其唱衰，不如多点阳光，以梦为马，静候长鑫在 DRAM 市场突出重围的好消息。
作者：裴军
