瑞萨电子于日前基于其突破性的硅晶薄氧化物埋层 （SOTB） 工艺技术和Arm Cortex-M0＋内核，设计出一款全新的超低功耗控制器，再次扩大了其嵌入式控制器的产品线。
RE01组的最新成员被称为RE01 256KB，同系列的另一款1.5 MB 闪存嵌入式控制器RE01 1500KB目前已经投入量产。新一代嵌入式控制器具有最小3.16 mm×2.88 mm的WLBGA封装尺寸，专门为传感器控制的物联网设备设计进行了优化，适用于智能家居、智能建筑、环境传感、结构监测、跟踪器和可穿戴设备等应用。
新型嵌入式控制器在EEMBC ULPMark－CoreProfile （CP）认证中获得了705的高分，瑞萨高级副总裁、SoC业务、物联网和基础设施业务部门主管Hiroto Nitta表示：“我们非常高兴RE系列嵌入式控制器的超低功耗能获得官方认证，也希望这能让RE系列得到更广泛的应用，以扩大嵌入式设备的电池寿命，减轻更多客户的电池维护负担。”
新一代RE01组嵌入式控制器在运行时电流消耗低至25μs/MHz，待机时电流消耗低至400 nA，使其在超低电流消耗方面处于世界领先地位。
RE系列嵌入式控制器的超低功耗，大大延长了嵌入式设备的电池寿命。在需要多个传感器进行实时数据处理的应用中，即使是由输出电流很小的紧凑型电池或能量收集设备供电，它们也能高速运行。目前已实现量产的1.5 MB闪存的RE系列MCU最适用于需要大内存容量的应用程序，如图像数据处理或通过无线通信进行的无线固件更新，而最新的RE01最适合用于紧凑型设备和低功耗物联网设备。
瑞萨表示，通过加强基于SOTM工艺技术的 RE Family产品阵容，公司致力于支持低能耗系统的发展，以帮助建立一个具有环保意识的智能社会。
