日前，三星宣布其位于韩国平泽工厂的第二条产线已经开始量产业内首款应用于智能手机的16GB LPDDR5 DRAM。这批芯片的制造将采用三星第三代10nm EUV技术（1z）。
当前，三星在全球DRAM市场中占有率第一，它表示，新一代LPDDR5 DRAM芯片具有业内最佳的存储能力和运行性能。相比12GB LPDDR5 DRAM芯片，16GB版本的数据传输速度能达到6400 Mb／s，在运行速度上提升了16％。利用16GB LPDDR5芯片制造的16GB数据包可以在一秒内传输51．2GB数据。
基于1z nm工艺，LPDDR5的封装厚度比前一代缩减30％。1y nm工艺需要结合12颗芯片（包括8颗12GB芯片和4颗8GB芯片）去完成一个16GB RAM封装，而相同产能下，1z工艺仅用8颗16GB芯片就能完成同样的操作，这一提升能够简化5G、可折叠屏或是多相机智能手机的制作流程。
三星还计划将LPDDR5 DRAM芯片用于汽车应用，希望能够在恶劣环境下提供更广的温度范围和可靠性标准。
据悉，生产10nm EUV LPDDR5 DRAM芯片的工厂占地超过128900平方米（超过130万平方英尺）。这也是三星迄今为止最大的半导体生产线。
三星电子DRAM产品和技术执行副总裁Jung－Bae Lee说道：“采用1z工艺的16Gb LPDDR5克服了DRAM在先进节点上扩展的一个主要障碍。三星将继续扩大公司高端DRAM产品阵容，继续引领整个内存市场的增长。”
