并非5nm,英伟达RTX 30系列显卡采用三星8nm技术

OFweek电子工程网 中字

日前,英伟达发布了万众期待的GeForce RTX 30系列显卡,新一代显卡基于英伟达最新的Ampere架构研发,相比2018的RTX 20系列,在性能上有显著的提升。而正如外界此前猜测的那样,本次英伟达RTX 30系列的显卡芯片,悉数交由三星制造,但可能是由于良率问题,采用的并非是5nm制程工艺。

三星拿下这笔利润可观的大订单,靠的是更为稳定的8nm技术。双方合作构建了一道被称为8N Nvidia的定制流程,通力研发出了新一代性能极为强大的RTX显卡,包括集成240亿晶体管,原始计算能力可达30 TFLOPS,光线追踪带宽最高可达58 TFLOPS。

换句话说,根据不同的使用情况,新品的功率和能效几乎可以达到普通产品的两倍,而这些性能提升的关键就是前面提到的晶体管密度。与以往以相同技术基础生产的芯片相比,8N NVIDIA定制流程制造出的芯片在速度上大约能提高10%。三星8nm工艺已经问世三年之久,如今还能取得两位数的提升,这些进步也离不开双方在架构工程和相关领域投入的大量研发精力。

当前,由于良率不足,三星仍在苦思该如何解决5nm制程的产量问题,丢失一部分供货合同也为公司带来了不少损失,英伟达新一代显卡的成功发布对三星的代工厂来说无疑是一次巨大的胜利。

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