台积电2nm工艺研发突破,或采用环绕栅极晶体管技术

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3nm工艺已在路上,台积电到底领先了多少?

在台积电此前发布的财报中显示,28nm、16nm和7nm工艺仍是该公司第二季度营收的主要来源(28nm工艺贡献14%营收,16nm工艺贡献18%营收,7nm工艺贡献36%营收)。5nm工艺的营收状况虽然未披露,但从当前5nm工艺芯片的应用市场来看,当前正是各大厂商追寻5nm芯片的高产时期,比如华为麒麟9000、苹果A14芯片,还有高通骁龙875等等。预计台积电代工的5nm和7nm工艺芯片将对公司第三季度的销售业绩起到极大提升。

2nm工艺之前还有3nm,关于台积电3nm的研发进展有资料显示,台积电3nm工艺不会像三星那样选择GAA晶体管技术,而是延续采纳FinFET晶体管技术进行开发。3nm工艺与5nm工艺相比,相同功耗下性能提升约10~15%,相同性能下功耗减少约25~30%,前者逻辑区域密度提升1.7倍,但SRAM密度仅提升20%,模拟电路部分密度提升约10%,因此芯片层面上可能仅缩小26%左右。

在生产方面,台积电的3nm晶圆厂坐落在台湾南科园区,占地28公顷,位置紧邻台积电的5nm工厂。据悉,台积电3nm项目投资超过6000亿新台币,约为194亿美元或者1347亿人民币,2020年开始建厂,2021年完成设备安装,计划3nm芯片在2021 年进入风险性试产,2022 年下半年实现量产。

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