2020年12月21日，在5G、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等新基建战略方向下，以SiC、GaN为代表的宽禁带半导体成为全球半导体技术和产业竞争焦点。Cree Wolfspeed 是全球领先的宽禁带半导体创新者和制造商，提供经过验证的SiC功率和GaN射频解决方案；泰克科技作为测试仪器及方案的提供商，提供解决传统测试难题的创新方案。双方在宽禁带半导体发展与测试有很多共同的话题和研究，携手分享契机与挑战。
宽禁带半导体具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求，是支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件，已成为全球半导体技术和产业竞争焦点。
不同技术的功率器件的区别，下图可以看到传统的Si基的IGBT或者MOSFET管要么分布在高压低速的区间，要么分布在低压高速的区间，市面上传统的探测技术可以覆盖器件特性的测试需求。宽禁带半导体器件SiC ／ GaN的技术趋于成熟，高速，高耐压，抗高温，体积小，低功耗被越来越多的应用在电源转换产品上，从性能区别于传统Si基的功率器件却大大扩展了分布的区间，覆盖以往没有出现过的高压高速区域，这就对器件的测试工具提出非常严苛的挑战。
（企业供图）
Cree Wolfspeed与泰克共同应对宽禁带半导体器件的挑战，共同促进宽禁带半导体行业的发展。Cree Wolfspeed SiC 器件经过优化设计，帮助设计者实现更高效率、更高开关频率、减小系统尺寸、降低系统成本，提供业界领先的更低导通电阻和开关损耗，是包括电动汽车充电系统、高性能工业电源、服务器／电信电源、储能系统、不间断电源和电池管理系统等在内诸多应用的理想选择。
12月23日，Cree Wolfspeed与泰克工程师将联手登台，共同出镜为大家讲解宽禁带半导体器件的使用特点与产品优势，在车载充电机（OBC）应用中给系统带来的好处，并结合实际波形对比传统IGBT在关键参数上的优势，以及如何准确的测试验证关键波形来优化设计，解答关于宽禁带半导体器件的设计与测试难题。
关于泰克科技
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