浪涌抑制器
要设计一款能够应对高压瞬变的汽车电源极具挑战性，因为需要这样一款器件，既能耗散多余电力，同时不会损坏敏感的电子器件。EVAL－ADVTS4152－EBZ电源解决方案中的LT4356－1浪涌抑制器就可以保护系统免受高压瞬变的影响，在高压瞬变期间仍可持续运行。
LT4356－1驱动一个作为调整管的外部N沟道、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）（参见图3）。在正常工作模式下，LT4356－1使MOSFET完全开启，并提供从输入到下游负载的低阻抗路径。如果输入电压浪涌过高，LT4356－1就会控制MOSFET的栅极，并将输出电压调节至由OUT引脚到地之间的R33和R34电阻分压器设定的安全电压电平。MOSFET保持开启状态，直到接地的TMR引脚处连接的电容电荷（CTMR）达到1．35 V。此时，GATE引脚拉低，使MOSFET关闭。
负载突降
负载突降是高压瞬变的一个示例。当交流发电机在汽车电池充电期间与电池断开连接，造成电压浪涌时，就会发生负载突降。EVAL－ADVTS4152－EBZ使用LT4356－1浪涌抑制器保护敏感的汽车电子部件，可避免这种瞬态情况的影响。
测试设置
我们使用DC1950A负载突降生成器生成负载突降测试脉冲，并通过EVAL－ADVTS4152－EBZ输入传送。然后在EVAL－ADVTS4152－EBZ的输出施加一个1 A恒流负载。图4显示负载突降测试设置。
图3．LT4356－1浪涌抑制器
图4．负载突降测试设置
如图5所示，实际浪涌波形显示在通道2 （C2），浪涌电压为105．6 V，衰减约400 ms。输出电压保持在5 V，显示在通道 3 （C3），表示电源未中断。在图5中，LT4356－1响应也显示在通道1 （C1）。波形中的平坦区域表明芯片正在将电压调节到所需的38 V钳位电压（见图5）。
图5．EVAL－ADVTS4152－EBZ在高瞬态电压下的响应
