众所周知，明年全球两大芯片代工巨头台积电、三星就要进入3nm芯片制造了。
而过去的这几年，台积电靠着领先的工艺，稳定的良率，一直稳压三星一头，并且将差距似乎越拉越大，目前台积电都拿下了55％的代工市场，而三星才20％左右。
所以三星肯定是不爽的，一直找机会，想要超过台积电，成为全球第一。
那么机会在哪里，就在3nm制程上。
我们知道自从芯片工艺进入16nm（三星是14nm）后，大家就启用了FinFET晶体管技术，这是一种3D晶体管技术。
但事实上这种晶体管技术，在5nm时就会被淘汰，但代工厂们还在用，原因就是换用新晶体管技术，风险太大，老的FinFET能凑合就凑合。
这也被大家怀疑是5nm芯片翻车的原因，因为FinFET晶体管技术的漏电功率太大了，导致发热大，功耗高。
而到3nm时，三星于是赌一把，丢掉自己用得顺手的FinFET晶体管技术，要换用更先进的GAAFET晶体管技术，这算是一种4D晶体管技术了。
相对于FinFET晶体管，结构更复杂，主要是电极功率更低，漏电情况会好转，这样会导致发热变低，功耗降低，按照三星的说法，这种技术可将芯片片面积缩减45％、效能提升50％。
而台积电基于保守的目的，在3nm时还是使用FinFET晶体管技术，所以三星觉得自己的机会到了。
今年6月份，三星表示自己的GAAFET晶体管技术的3nm芯片，已成功流片（Tape Out），明年会顺利量产。
而近日三星更是表示，自己的GAA制程技术，已经领先于台积电了，接下来就是巩固技术，早日量产，然后取代台积电，成为全球第一。
那么三星会不会是吹牛呢？现在还不清楚，不过三星确实在14nm的FinFET技术时，领先过台积电，还抢到了苹果的订单，所以也不是没有机会。
接下来就看明年了，如果三星的3nm的GAAFET芯片，真的表现给台积电的3nm的FinFET芯片给力，那么超过台积电，也不是不可能。
三星是不是吹牛，结果明年见，相信整个半导体行业，也在看三星的GAAFET芯片，如果成功了，这也算是整个行业的一次进步，芯片将进入GAAFET晶体管时代。
