3月9日消息,闻泰科技股份有限公司(以下简称“闻泰科技”)发布公告称,子公司安世半导体自主设计研发的绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar
Transistor ,以下简称“IGBT”)系列产品已流片成功,取得阶段性重大进展,
各项参数均达到设计要求。
IGBT 是电源转换的核心器件,也是新能源与节能低碳经济的主要支撑技术,
具有开关速度快、 载流密度大等特点,并拥有广泛的应用市场,主要面向新能源汽车、光伏/风力发电、智能电网、 大功率电源、工业控制、家电产品等领域。
闻泰科技称IGBT 流片成功后,仍需经过客户验证,后续量产计划具有不确定性。
据了解,今年8月,闻泰科技宣布子公司安世半导体已经完成了对英国最大晶圆制造商Newport Wafer Fab(英国新港晶圆厂)母公司NEPTUNE 6 LIMITED全部的100%股权收购。
NWF是目前英国最大的晶圆制造商,公司8英寸晶圆月产能超过3.5万片,最大产能可以达到4.4万片。这些晶圆生产之后主要用来制造汽车电源应用的硅芯片。除此之外,NWF还具备化合物半导体,特别是碳化硅(SiC)和GaN(氮化镓)的开发能力。此前安世半导体的晶圆厂还不具备生产IGBT芯片的能力。
