中微公司:刻蚀、MOCVD、薄膜沉积、EPI齐头并进

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事件:3月29日,公司发布2021年年报,营收31.08亿元,同比增长36.7%;归母净利润10.11亿元,同比增长105.5%;扣非归母净利润3.24亿元,同比增长1291%;2021年新签订41.3亿元,较2020年增加约19.6亿元,同比增加约90.5%。 

刻蚀设备营收增长超五成,MOCVD毛利率大幅提升。受益于半导体设备市场发展及公司产品竞争优势,2021年刻蚀设备收入为20.04亿元,同比增长约55.4%,毛利率达到44.32%。MOCVD收入5.03亿元,同比增长1.5%,主要由于下游市场原因以及本年度新签Mini LED MOCVD订单尚未贡献收入,但毛利率达到33.77%,较2020年的18.65%实现大幅提升。 

刻蚀订单稳步增长,CCP设备市占率持续提升,ICP工艺研发迈向先进制程。公司2021年共生产付运CCP刻蚀设备298腔,产量同比增长40%,在部分客户市场占有率已进入前三位。该设备广泛应用于64层及128层3D NAND的生产线,随着3D NAND芯片制造厂产能的迅速爬升,该产品的重复订单稳步增长。ICP设备方面,2021年公司共生产付运设备134腔,产量同比增长235%。其中Primo Nanova完成超过百次的工艺验证,累计交付超过180台反应腔。此外,Primo Twin-Star、Primo TSV200E、Primo TSV300E设备均继续获得重复订单并拓展市场验证范围。公司有序推进进行下一代ICP刻蚀产品的技术研发,以满足5nm以下的逻辑芯片、1X nm的DRAM和128层以上的3D NAND存储芯片等产品的ICP刻蚀需求,并进行高产出ICP刻蚀设备的研发。 

Mini LEDMOCVD获超180腔订单,积极布局Micro LED、三代半功率市场。2021年6月公司正式发布用于高性能Mini LED量产的MOCVD设备Prismo UniMax,已收到批量订单合计超过180腔。同时,公司正在开发针对Micro LED应用的专用MOCVD设备,并积极布局用于功率器件应用的第三代半导体设备市场,开发GaN功率器件量产应用的MOCVD设备,目前已交付国内外领先客户进行生产验证。 

CVD和EPI研发稳步推进,计划开发布局ALD和ALE设备。公司应用于金属互联的CVD钨制程设备能力已能够满足客户工艺验证的需求,正与关键客户对接验证;LPCVD和EPI设备研发进展良好,EPI设备已进入样机的设计、制造和调试阶段,以满足客户先进制程中锗硅外延生长工艺的电性和可靠性需求。同时,基于CVD设备,公司计划开发ALD和ALE设备,实现更高深宽比和更小的关键尺寸结构的填充和刻蚀,以满足高端逻辑器件和先进存储芯片的需求。 

践行外延式发展策略,积极投资相关领域,完善公司业务布局。公司下属的中微汇链、中微惠创、芯汇康在新业务拓展领域取得良好的进展,得到市场和用户的高度评价。同时公司积极探索相关领域的投资机会,公司参股投资的沈阳拓荆、山东天岳、德龙激光等项目营运表现良好,其中山东天岳已在科创板挂牌上市,沈阳拓荆、德龙激光已获得科创板上市注册批复。此外,公司1.08亿元增资上海睿励,进一步巩固产业链协同效应,完善了公司的业务布局。 

再融资81.18亿增强资金实力,研发投入营收占比超两成。公司于2021年向特定对象发行股票,扣除发行费用后的募集资金净额为81.18亿元,大大增强了公司的资金实力,为公司后续发展奠定坚实的资金基础。随着募集资金到位,公司不断提升研发投入水平和产品科技创新水平,全年研发投入为7.28亿元,占收入比例为23.4%,同比增长13.8%。 

投资评级与估值:预计公司2022年-2024年营业收入48.0/65.0/85.0亿元,归母净利润分别为11.0/14.5/16.4亿元,维持“推荐”评级。 

风险提示:(1)行业竞争加剧风险;(2)技术研发不及预期风险;(3)下游景气度不及预期风险。




       原文标题 : 中微公司:刻蚀、MOCVD、薄膜沉积、EPI齐头并进

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