6月29日消息，外媒BusinessKorea报道称，三星电子将在6月30日开始批量生产3nm芯片，抢先台积电实现大规模量产。三星3nm工艺基于先进的GAA全环绕栅极晶体管技术，相比台积电的FinFET鳍式场效应晶体管技术更为先进，三星能否借此一举赶超台积电呢？
（图源：三星官方）
很早之前，三星就表示会在今年第二季度量产3nm芯片，终于是赶在最后一天投产了，时间上比台积电早一个季度左右。另外，三星还是首家使用GAA晶体管技术的半导体公司，在技术上同样领先台积电。三星3nm工艺如果能达到预期的表现，理论性能应该是要比台积电3nm更强几分的。
按照官方介绍，基于GAA技术的3nm工艺，与7nm工艺相比芯片逻辑面积减少45％，功耗降低50％，性能提高约35％，而且能在极低的电压下稳定运行，纸面参数强于台积电3nm。韩国分析师近日爆料称，三星3nm工艺的良品率远高于市场预期，新增客户速度也相当快。尽管不清楚良品率具体有多高，但表现应该是较为理想，很值得期待。
（图源：三星官方）
据了解，高通、AMD等厂商因为无法获得台积电3nm工艺的首批产能，已经转头选择三星，成为三星3nm工艺的客户。在此推动下，三星晶圆代工业务有望增长40％，市场份额超过25％，能从台积电那边争夺更大的市场蛋糕。
台积电3nm工艺量产时间虽然慢一些，但明显更加可靠。中国台湾电子时报消息称，AMD、苹果、英特尔、联发科等一众客户，都在排队等待台积电3nm工艺的产能，预计在第四季度左右量产。台积电准备了4波产能，第一波应该已经被苹果包圆了，后面三波才会陆续分给英特尔、AMD、联发科、高通等客户。
目前，台积电3nm工艺的试产进度比较顺利，第一波月产能大约为2．5万片晶圆，苹果M2系列芯片应该会首发台积电3nm工艺。后续，英特尔新一代处理器、AMD和联发科下一代芯片也会用上3nm工艺。
一直以来，三星的制程工艺都被台积电压过一头，市场份额不断被稀释。所以，三星选择押宝3nm工艺，想要弯道超车追上台积电，在先进工艺领域拥有更多话语权。从目前来看，三星确实有这个潜力，希望量产芯片的表现能带给行业一些惊喜吧。
来源：雷科技
原文标题 : 赶超台积电？三星3nm芯片明日量产：GAA技术功耗爆降50%
