美国全面卡死2nm?不准卖到中国大陆

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众所周知,三星在3nm芯片时,采用了GAAFET晶体管技术,这是相对于FinFET晶体管更先进的技术。

GAAFET晶体管技术为何更先进?原因在于GAAFET提供比FinFET更好的静电特性,在同等尺寸结构下,GAA 的沟道控制能力强化,尺寸可以进一步微缩,同时电压降低。

美国全面卡死2nm?设计GAA技术芯片的EDA,不准卖到中国大陆

这就使得GAAFET晶体管,可以密度更高,同时电压更低,这样性能更强,功耗降低。

虽然目前在3nm技术上,三星使用GAAFET技术,而台积电使用FinFET技术,但到2nm时,不管是台积电,还是三星,或者intel都会使用GAAFET技术,因为FinFET技术,已经无法再微缩,实现不了2nm。

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可以说,只要卡住GAAFET晶体管技术,就相当于卡住了2nm芯片技术。

而近日,外媒Protocol报道,美国准备对用于设计半导体的特定类型EDA软件实施新的出口限制。

按照报道,美国计划将使用于“Gate-all-around”(环绕栅极,GAA)新技术制造芯片所必需的EDA软件,列入禁止出口的清单中,不准卖到中国大陆来。

美国全面卡死2nm?设计GAA技术芯片的EDA,不准卖到中国大陆

以往美国在芯片制造上,主要针对的是制造业,即不允许卖先进的半导体设备到中国大陆来,比如EUV光刻机等。

现在要禁止EDA工具,则意味着不仅是针对晶圆制造企业,针对的还有芯片设计企业了,因为没有EDA工具,在现在这样的情况下,再牛的芯片设计企业,也设计不出芯片来。

而目前EDA基本上是被Synopsys、Cadence和西门子EDA这三家巨头垄断的,特别是先进的设计工具。

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而国产EDA,一方面是支持的工艺不够先进,二是流程不够齐全,所以在国内市场,这三大巨头也占了90%市场。

一旦用于GAAFET芯片技术的EDA被禁,那意味着不仅国内的晶圆制造进入不了2nm,连设计都卡住了,除非国产EDA跟上来,能够支持GAAFET技术。

       原文标题 : 美国全面卡死2nm?设计GAA技术芯片的EDA,不准卖到中国大陆

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