目前，全球进及10nm及以下的芯片厂商就三家，分别是台积电、三星、intel。
其中台积电、三星以晶圆代工为主，而intel是IDM厂商，之前主要为自己造芯。不过去年intel换了CEO后，提出了一个IDM2．0计划，那就是也对外代工，与三星、intel争市场。
不过从现在的情况来看，intel的这个IDM2．0计划，那是雷声大，雨点小，看起来就像是“纸老虎”。
intel的雷声有多大？英特尔目前仅能生产7nm芯片，并且这个产能还很小，但表示要3年搞出4代工艺革新。
如下图所示，intel到2023年要实现intel3工艺，相当于台积电的3nm，到2024年要实现intel20A工艺，相当于台积电、三星的2nm，这是直接就超过台积电、三星了。
而到2024年，intel还要搞定intel18A工艺，也就是18埃米，1．8nm，比三星、台积电还要领先了。
除了工艺制程外，从Intel 3nm开始，intel还要采用全新的RibbonFET晶体管取代当前的FiFET，引入革命性的PowerVias背面供电技术。
而这个所谓的RibbonFET其实是对GAAFET（环绕栅极）晶体管的改进，后者已被三星3nm首发，intel意思是，我在3nm时，技术比三星的这个还要更牛。
口号是这样喊出去了，但是，目前intel的代工业务，表现却不那么给力，进展也不那么顺利，intel4都不知道什么时候能够实现。
至于明年搞定intel3工艺，业内基本上没什么人看好，要知道英特尔当年的14nm工艺都打磨了5年，才进入10nm，而7nm一再跳票，也折腾了两年。
现在说3年要搞出4代工艺革新，率先进入2nm、1．8nm，很多人认为不可能，甚至有人认为在代工领域，intel就是个“纸老虎”，不可能与台积电、三星等去PK。
不过也有人说了，intel之前工艺进展慢，是因为intel工艺不造假，一切按照摩尔定律来，晶体管密度，远比台积电、三星更高。如果intel也学台积电、三星一样，开始工艺掺水，那还是很容易搞定的，不就是虚标数字嘛。
那么问题来了，intel在2024年能实现20A、18A工艺么？估计台积电、三星也都在等这个答案。
原文标题 : 英特尔造芯，雷声大，雨点小，就像是“纸老虎”
