近日，美国又将28家中国企业列入了“实体清单”进行打压，比如全球最牛的AI服务器厂商浪潮集团，以及中国最有名的CPU厂商之一龙芯等。
于是很多网友表示，国产芯片究竟发展到哪一步了，为何美国不断的打压，难道我们的技术，真的差那么远么？
今天就给大家聊一聊，国产芯片究竟发展到哪一步了。
芯片目前分为三个主要环节，分别是设计、制程、封测这。
设计水平，目前国内与全球水平是一致的，那就是达到了3nm，这个估计大家不会怀疑，毕竟之前华为麒麟芯片，与高通、苹果芯片是同步的。
去年上半年三星量产3nm芯片时，首批客户就是国内的矿机厂，所以3nm芯片，我们去年就能够设计出来了，设计这一块，我们不落后。
但是，要注意的是，设计芯片，需要指令集、EDA、IP核等，这一块国内相对是较落后的，国内的芯片，大多使用ARM指令集，美国的EDA，还有ARM的IP核等，这一块差距相当大。
制造这一块，对外公开的数据是中芯已经实现了14nm工芯的量产，而梁孟松曾表示，已完成7nm工艺的研发任务，就等EUV光刻机到货了。
但是大家特别要注意在制造这一块，实现14nm芯片的量产，是基于ASML的光刻机，美国的一些半导体设备，日本的一些半导体材料才行的。
如果采用国产设备、国产材料，目前的真实技术，连28nm都实现不了，因为国产光刻机才达到90nm，还有一些设备，最多也就是28nm。
在材料方面，像光刻胶，国产才刚实现ArF光刻胶，也就是65nm左右，可以说制造水平要是考虑国产化，最多在65nm，甚至还在90nm。
最后说说封测这一块，封测这一块，门槛相对最低，去年的时候，天水华天、通富微电、长电科技就表示，已经实现了3nm芯片的封测。
而今年年初，像长电科技、通富微电均表示，实现了4nm的Chiplet芯片的封测，而封测设备，并不那么难，可以说国内封测水平，与国际水平基本也是一致的。
可见，与全球水平相比，我们差的是EDA、指令集、IP核等，还有光刻机等设备、光刻胶等材料，并且差距相当相当大，比如光刻机要仅90nm，光刻胶仅65nm。
这也是为何美国不断打压的原因，因为只要卡住光刻机，就卡住了所有，我们有再牛的芯片设计水平、封测水平，但只要制造不出来，一切就都是假的。
原文标题 : 从设计、制造、封测三个环节，分析国产芯片发展到哪一步了
