从设计、制造、封测三个环节,分析国产芯片发展到哪一步了

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近日,美国又将28家中国企业列入了“实体清单”进行打压,比如全球最牛的AI服务器厂商浪潮集团,以及中国最有名的CPU厂商之一龙芯等。

于是很多网友表示,国产芯片究竟发展到哪一步了,为何美国不断的打压,难道我们的技术,真的差那么远么?

从设计、制造、封测三个环节,分析国产芯片发展到哪一步了

今天就给大家聊一聊,国产芯片究竟发展到哪一步了。

芯片目前分为三个主要环节,分别是设计、制程、封测这。

设计水平,目前国内与全球水平是一致的,那就是达到了3nm,这个估计大家不会怀疑,毕竟之前华为麒麟芯片,与高通、苹果芯片是同步的。

去年上半年三星量产3nm芯片时,首批客户就是国内的矿机厂,所以3nm芯片,我们去年就能够设计出来了,设计这一块,我们不落后。

但是,要注意的是,设计芯片,需要指令集、EDA、IP核等,这一块国内相对是较落后的,国内的芯片,大多使用ARM指令集,美国的EDA,还有ARM的IP核等,这一块差距相当大。

从设计、制造、封测三个环节,分析国产芯片发展到哪一步了

制造这一块,对外公开的数据是中芯已经实现了14nm工芯的量产,而梁孟松曾表示,已完成7nm工艺的研发任务,就等EUV光刻机到货了。

但是大家特别要注意在制造这一块,实现14nm芯片的量产,是基于ASML的光刻机,美国的一些半导体设备,日本的一些半导体材料才行的。

如果采用国产设备、国产材料,目前的真实技术,连28nm都实现不了,因为国产光刻机才达到90nm,还有一些设备,最多也就是28nm。

在材料方面,像光刻胶,国产才刚实现ArF光刻胶,也就是65nm左右,可以说制造水平要是考虑国产化,最多在65nm,甚至还在90nm。

从设计、制造、封测三个环节,分析国产芯片发展到哪一步了

最后说说封测这一块,封测这一块,门槛相对最低,去年的时候,天水华天、通富微电、长电科技就表示,已经实现了3nm芯片的封测。

而今年年初,像长电科技、通富微电均表示,实现了4nm的Chiplet芯片的封测,而封测设备,并不那么难,可以说国内封测水平,与国际水平基本也是一致的。

从设计、制造、封测三个环节,分析国产芯片发展到哪一步了

可见,与全球水平相比,我们差的是EDA、指令集、IP核等,还有光刻机等设备、光刻胶等材料,并且差距相当相当大,比如光刻机要仅90nm,光刻胶仅65nm。

这也是为何美国不断打压的原因,因为只要卡住光刻机,就卡住了所有,我们有再牛的芯片设计水平、封测水平,但只要制造不出来,一切就都是假的。

       原文标题 : 从设计、制造、封测三个环节,分析国产芯片发展到哪一步了

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