在中国存储芯片企业以最高232层NAND flash抢占市场，同时以猛烈的价格战压得三星、美光举白旗的时候，日前消息指日本刻蚀机企业东京电子突然宣布已研发成功400层NAND flash系统，希望借这些技术扭转劣势。
中国的存储芯片企业起家于2016年，为了建立自主的技术，中国存储芯片企业从最低层的32层NAND flash技术开始发展，到了2020年研发成功128层NAND flash存储芯片技术，追上了全球主流技术水平。
2022年中国的存储芯片企业二期工程量产，存储芯片产能将翻2两倍，同时存储芯片技术也率先量产232层NAND flash，技术和产能的提升快速降低了成本，中国存储芯片由此开始依靠低成本优势大举抢占市场。
恰在那个时候全球芯片行业出现供给过剩，芯片价格急跌，中国存储芯片不怕芯片下行周期，反而逆周期扩张，给韩国、日本和美国的存储芯片带来巨大的压力。2022年底以来，韩国的三星、美国的美光一度跟进价格战，顽强抵御中国存储芯片的竞争。
但是到了今年一季度，美光先顶不住了，因美光该季度的营收只有40亿美元却亏损了23亿美元，率先表示不再降价；三星随后也表示不会再降价，同时由于库存激增至3400亿元，减产，而在以往三星可是最喜欢逆周期扩张的，可见这场价格战的猛烈。
这次东京电子宣布研发成功400层NAND flash刻蚀系统，将有助于美日韩的存储芯片企业扳回技术劣势，同时依靠更先进的技术也能进一步降低成本，这成为它们避免在存储芯片行业继续沉沦的希望。
由于众所周知的原因，东京电子等日本芯片设备企业生产的23种芯片设备都不能对中国出售，中国存储芯片这次恐怕无法快速提升存储芯片的技术，很可能在未来数年时间都将落后于美日韩存储芯片，让它们获得喘息之机。
不过在存储芯片行业，中国的芯片设备则有一定的优势，中国的刻蚀机企业已研发成功5纳米刻蚀机，在诸多芯片设备当中追上了全球主流技术水准，如此美日韩存储芯片行业先进的刻蚀技术应不会保持太长时间。
同时中国是全球最大的芯片市场，目前国产存储芯片占有的市场份额不过5%左右，即使仅是占领国内市场也还有数倍的增长空间，这都可以为国产存储芯片提供发展的沃土，以及缓冲的机会，美日韩存储芯片将无法依靠先进的技术压制中国存储芯片。
中国的存储芯片产业的发展让海外吃惊，也让他们看到中国芯片的巨大潜力，短短数年时间就从零起步到赶上主流技术水平，说明只要中国芯片行业共同努力，其他芯片技术跟上全球主流水平有很大希望，日本暂时的技术优势只会刺激中国存储芯片加快技术发展，尽快跟上它们的脚步。
原文标题 : 被中国存储快逼到绝境，日本意图以400层刻蚀技术反超
