国产LPDDR5存储芯片崭露头角:容量与速率双提升50%

科闻社
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近日,中国长鑫存储公司迎来了一项重大突破,成功推出了国内首个自主研发并实现量产的LPDDR5产品,标志着国产LPDDR5存储芯片正式问世。

根据长鑫存储官网的消息,截至11月28日,该公司正式推出了LPDDR5系列产品,包括12Gb的LPDDR5颗粒、POP封装的12GB LPDDR5芯片以及DSC封装的6GB LPDDR5芯片。其中,12GB LPDDR5芯片已经在国内主流手机厂商,如小米、传音等品牌机型上完成验证。LPDDR5是长鑫存储专为中高端移动设备市场推出的产品,其市场化落地将进一步完善长鑫存储DRAM芯片的产品布局。

该LPDDR5芯片相较上一代LPDDR4X,单一颗粒的容量和速率均提升了50%,分别达到12Gb和6400Mbps,同时功耗下降30%。值得注意的是,长鑫存储的LPDDR5芯片引入了RAS功能,通过内置纠错码(On-die ECC)等技术,实现实时纠错,减少系统故障,确保数据安全,增强稳定性。

根据公开资料,长鑫存储成立于2016年,总部位于安徽合肥,是一家专注于DRAM芯片设计、研发、生产和销售的一体化存储器制造公司。其产品广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。

另一方面,与长鑫存储的成功推出相比,媒体报道称,三星公司与长鑫存储在LPDDR5产品方面存在四年的差距。这表明中国存储芯片产业在LPDDR5技术上取得了显著进展,缩小了与国际巨头的技术差距。

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       原文标题 : 国产LPDDR5存储芯片崭露头角:容量与速率双提升50%

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