11月30日，业内消息人士称，NAND闪存现货价格持续上涨，而DRAM定价趋势则不太稳定。随着旺季接近尾声，11月存储现货价格增长放缓。由于芯片厂商持续减产，上游NAND供应依然紧张，存储模组厂商无法在价格进一步上涨之前建立足够的库存。渠道库存压力并未阻止NAND闪存晶圆价格上涨。主流512Gb市场的现货价格强劲上涨，进一步推动芯片供应商实现收支平衡。
先给大家简单介绍下NAND闪存和DRAM内存。
在半导体存储器领域，NAND 是 NAND Flash Memory 的简称，Flash Memory 在国内翻译为快闪存储器，简称闪存，是一种非易失性存储器 （Non－Volatile Memory，NVM），也就是说当电源关掉，它所存储的数据不会消失。NAND Flash 存储单元尺寸更小，存储密度更高，单位容量成本更低，块擦／写速度快， 具有更长的寿命，多应用于大容量数据存储，如智能手机、PC、平板电脑、U 盘、固态硬盘、服务器等领域。
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失，常用于容量大的主存储器，如计算机、智能手机、服务器内存等。
现状
NAND Flash和DRAM作为最主要的存储芯片，多类消费电子需求疲弱背景下，多家NAND Flash厂商仍在减产，另一边，因AI服务器需求增加，与AI场景高算力需求匹配的HBM（高带宽内存）芯片需求上升，助力DRAM整体需求复苏。今年7月末，三星和SK海力士则在财报会上释放NAND产量继续下调的信号，而在DRAM和NAND闪存芯片价格跌倒谷底之后，DRAM和NAND闪存芯片价格过去几个月里一直在上涨。这也让三星、SK海力士和美光这样的存储器大厂处于更安全的位置。在此期间，除了减产措施以外，材料短缺也影响了价格的变动。虽然DRAM和NAND闪存芯片价格还没有回到今年初的水平，不过几个月下来上涨的幅度并不小，比如512GB的NAND闪存芯片价格几乎是7月时的两倍，256GB也在同一时间段上涨了55％，而两条8GB的DDR4内存套装比起8月时涨价了10％。上游厂商如此作为，使得内存和闪存白菜价时代已经过去式。
未来
TrendForce之前发布研报指出，存储器整体涨势有望延续，预计明年一季度Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）合约价仍将续涨。存储模组厂威刚此前则表示，随着大厂大幅减产效益浮现，看好存储价格从今年四季度到明年上半年一路上涨，明年起更会进入为期二年的存储多头格局，未来二年市场供给将吃紧并出现缺货状况。
这种情况也让手机厂商处于尴尬境地，上半年大家都是在打价格战，而现在生产制造环节被卡，无法生产最先进的芯片，涨价吧，消费者不一定会买单，不涨吧，厂商就自己承压了。目前已了解到的是，小米和OPPO在9月份按最新价格签了采购协议，现在压力也是给带了他们。
期待国产ING
目前现状是我们高性能DRAM内存和NAND闪存还依赖进口，定价权完全在上游厂商手里。现在涨价是必然事件，国产打破封锁，自己能够制造出来，但是，现在国内市场需求完全远远大于国内自己制造的产能，国内做不到自己供求。原因很简单：不是长江技术不达标，而是生产制造环节被老美卡了，无法生产最先进的，长鑫也是同理，虽然是国内唯一在DRAM领域有最深厚积累的企业，但是由于专利壁垒更森严，目前发展也是难关重重。
虽然目前国产芯片处境略显窘迫，但是我们始终要抱有信心，要说国产芯片被应用在民用市场最多的，那就是来自长鑫的DRAM和长存的NAND闪存芯片了。根据韩媒 Business Korea 报道，市场内部人士透露，随着中国大陆加大对存储器产业的支持力度，过去几年已经有了长足的进步，在 NAND 闪存方面，和三星、SK 海力士等全球领先企业的技术差距缩短到 2 年。
该业内人士指出：“虽然 DRAM 依然保持 5 年以上的技术差距，不过由于 NAND 技术壁垒较低，中国企业在大力扶持下快速追赶，不断缩小差距。中国企业的 NAND 产品虽然在市场竞争力上还存在不足，但显然加快了追赶速度”
我们已经解决了芯片的有和无，再解决好与更好，一步一步来，国产芯片也可以做到自给自足，我们也可以无视三星、SK海力士，走出国门！
