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2024年11月21日，韩国存储器巨头SK海力士宣布，已正式量产全球首款321层堆叠1Tb TLC 4D NAND闪存，标志着存储器行业又一项技术里程碑的诞生。这款全新的闪存产品不仅打破了300层堆叠的技术限制，更为未来存储技术的发展方向指明了道路。
自2023年6月推出238层堆叠NAND闪存并供应市场以来，SK海力士持续推动存储器技术的进步。此次推出的321层NAND闪存，不仅是行业首个超过300层堆叠的产品，更是在技术工艺和生产效率上的重大突破。公司计划从2025年上半年开始向客户批量供应这一新产品，以满足不断增长的市场需求。
在开发321层堆叠NAND闪存的过程中，SK海力士引入了高生产效率的3-Plug制程技术。该技术通过三次通孔制程，并在后续工程中对通孔进行优化和电气连接，使得堆叠层数的增加不再受到传统工艺的限制。
此外，公司还研发出低变形材料，并引进通孔间自动排列矫正技术，确保了工艺的精度与可靠性。这些技术创新不仅克服了堆叠局限，还显著提升了产品的一致性和性能。
与上一代238层产品相比，321层NAND闪存在多方面实现了显著改进：
生产效率：得益于延续了238层产品的开发平台并优化工艺，生产效率提升了59%。
数据传输速度：提高了12%。
读取性能：提升了13%。
数据读取能效：提升超过10%，进一步满足低功耗需求。
SK海力士表示，这款新一代NAND闪存将主要面向AI领域，包括AI数据中心的固态硬盘（SSD）、边缘AI设备等高性能存储市场。通过超高层堆叠的存储技术，公司有望在这一快速发展的领域中占据有利地位。
SK海力士副社长崔正达指出：“率先量产超过300层堆叠的NAND闪存产品，使我们在AI存储领域更进一步。未来，公司不仅将在HBM等DRAM技术上继续保持领先，还将在NAND闪存领域提供超高性能的产品组合，力争成为全方位的AI存储解决方案供应商。”
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原文标题 : SK海力士突破300层技术大关，正式量产321层堆叠NAND闪存
