晶圆的平边分为缺口和平边，根据尺寸不同而不同。对于大尺寸的晶圆，一般是柱面磨削出一道凹槽作为定位槽(Notch)，对于小尺寸的一般磨削出平边作为定位边(Flat)。
通常对于小尺寸的晶圆，比如200mm直径（6寸）以下的用平边，6寸以上的缺口做定向，避免浪费。对于6寸，有用缺口，也有用平边的。
行业对平边大小也有标准
一、平边的作用
晶向对准
晶格方向标识1.1平边通常与晶圆的晶向（如<110>方向）对齐，确保光刻图案与晶体的解理方向一致。例如，激光器的谐振腔面需沿解理方向（与平边平行）制备，否则会导致器件性能劣化（如阈值电流升高、光束发散角异常）。工艺兼容性1.2 化合物半导体（如GaAs）的解理工艺高度依赖晶向，平边提供了直接物理参考，避免光刻图形与解理面偏离。
机械定位
设备对准基准：光刻机通过平边确定晶圆方向，实现晶圆在曝光、涂胶、显影等步骤中的精确定位（精度达±0.1°）。多工艺层对齐：多层光刻需以平边为统一基准，保证前后工艺层的图形套准精度（Overlay Accuracy）。
切割与分片参考
划片引导：平边作为晶圆切割的起始参考线，确保芯片分片时沿解理方向断裂，减少边缘损伤。应力控制：平边可标记晶圆主参考面，优化切割参数（如刀片速度、压力）以匹配材料脆性（如GaN易碎裂）。
二、平边在光刻中的具体应用1. 光刻对准流程预对准：机械手通过平边将晶圆定位至光刻机卡盘，误差控制在±0.5°以内。光学对准：光刻机的对准系统（如TTL显微镜）扫描平边附近的标记（Alignment Mark），结合晶圆坐标系调整曝光图形角度。动态补偿：对于切割误差导致的平边偏移（如±2°），光刻软件通过角度补偿算法修正图形方向。2. 特殊工艺场景VCSEL激光器：垂直腔面发射激光器的光刻需严格对齐平边，确保分布式布拉格反射镜（DBR）层与解理面垂直。功率器件：SiC MOSFET的台面刻蚀需沿平边方向排布，以减少沟道区晶格缺陷。MEMS传感器：惯性器件的结构刻蚀依赖平边确定晶向，以优化压电或热应力响应特性。
芯片图案要和大平边平行。
三、平边与凹槽（Notch）的对比特征平边（Flat）凹槽（Notch）适用尺寸4-6英寸晶圆（化合物半导体为主）8-12英寸晶圆（硅基为主）定位精度±0.1°（依赖机械接触）±0.05°（光学识别）材料兼容性脆硬材料（GaAs、GaN）抗切割碎裂硅基材料易加工凹槽工艺限制占用晶圆边缘面积（约3-5mm）凹槽占用面积小（<1mm），适合高密度布局四、平边偏移的解决方案
工艺前校准
晶圆检测：使用晶圆几何测量仪（如KLA UVision）检测平边实际角度，生成补偿参数。设备调参：将平边偏移角度输入光刻机（如ASML PAS5500），动态调整曝光图形方向。
掩膜版设计优化
旋转冗余设计：在掩膜版上预留多角度对准标记，兼容平边偏移场景。解理补偿区：在平边附近设计解理测试结构，实时监测解理方向偏差。
切割工艺改进
激光隐形切割：采用激光诱导改质层技术（Stealth Dicing），减少平边机械切割应力。晶棒定向校准：在晶棒生长阶段优化切割方向，从源头控制平边偏差。五、未来趋势混合标记系统：部分先进产线采用“平边+微型凹槽”双重标记，兼顾传统设备兼容性与高精度需求。AI辅助对准：基于机器学习的平边识别算法可实时补偿切割误差，提升复杂晶圆（如异质集成）的对准效率。总结
平边在晶圆光刻中是不可替代的物理基准，尤其在化合物半导体和小尺寸晶圆工艺中，其核心价值在于：
确保晶向与解理方向一致性；提供高可靠性机械定位；优化切割与分片良率。
原文标题 : 晶圆的平边和应用
