再次跃进：256GB让人看呆
SSD辣么大的体积多塞几枚NAND跟玩一样，并行速度噌噌噌往上涨，手机存储怎么办？单位面积里提高NAND容量，惯例使用更先进的制程，然而这会提高晶体管密度，反而降低可靠性和擦写次数。为解决此问题，V-NAND应运而生，核心思想是像盖楼一样通过3D堆叠，进行竖向上的扩张。
三星在2月份宣布了其下一代的UFS 2.0嵌入式存储解决方案，使用V-NAND技术，存储容量从128GB提高到256GB。推测三星应该还增加了接口带宽，使得256GB UFS存储的连续读取、连续写入速度达到850MB/s、260MB/s，随机读/写入IOPS达到45000/40000。
苹果放学别走。——三星
UFS遇上Micro SD卡
UFS作为通用闪存标准，应用范围有相当大的想象空间，比如移动存储卡。三星7月份推出基于JEDEC UFS 1.0标准的移动存储卡，容量包括256GB、128GB、64GB、32GB，性能表现出颠覆性的强悍。
以256GB UFS存储卡为例，顺序读取、顺序写入速度达到530MB/s、170MB/s，性能是传统高端Micro SD卡的500%、200%；随机读/写IOPS为40000/35000 IOPS，分别是传统高端Micro SD卡的20倍、350倍。
UFS移动存储卡采用全新的引脚设计，并不适用于现有设备，推广不过是时间问题。从高阶手机到千元手机，通过与或卡槽扩展存储的案例不在少数，大屏设备甚至实现像2×Nano SIM+1×Micro SD这样的三卡槽方案，如Galaxy A9 Pro。
WTF，我居然被Micro SD卡赶上了。——SSD
小尾巴
与布局指纹识别、研发自主CPU一样，苹果为iPhone引入NVMe接口协议在技术上极具前瞻性。相比之下，UFS接口则是跳出封闭圈子，引领行业前进。对于很多消费者而言，手机早已脱离商品的范畴，具有复杂的含义。别老想着赚钱，科技所带来的对等人文关怀是什么？
